Estructura del diodo emisor de luz GaInP / AlInP
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality Material semiconductor ternario III-V is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. Estructura GaAs Epi del diodo emisor de luz
No.1 GaAs LED Epitaxy
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GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
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| Material de la capa | Espesor | Nota |
| p-GananciaP | - | Composition of In: 0.5;
Dopado con magnesio |
| p-GaP | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| DBR | - | |
| Grabar parada n-GaInP | 20nm | |
| capa amortiguadora | - | |
| Subs de GaAs. | 350um | |
La prueba PL y El de la oblea de diodo emisor de luz cuántica se muestra en el diagrama:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | Material | Espesor |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| capa amortiguadora | N-GaAs | |
| sustrato | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | Material | Espesor |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| capa amortiguadora | N-GaAs | 300nm |
| sustrato | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, que muestra un gran potencial para sustituir los materiales que contienen aluminio, es un material semiconductor crítico que generalmente se cultiva en sustratos de GaAs. Sus propiedades están estrechamente relacionadas con las condiciones de crecimiento, como el método de crecimiento, la temperatura del sustrato, la tasa de crecimiento, la orientación del sustrato, la relación III/V, etc. Por lo tanto, InGaP es ideal para el cultivo de heteroestructuras para varias aplicaciones, como los LED rojos de alto brillo.
El atractivo de la heteroestructura InGaP/GaAs se deriva de su alineación de bandas, el desplazamiento de la banda de valencia (AEv = 0,24 – 0,40 eV) es significativamente mayor que el desplazamiento de la banda de conducción (Mc = 0,03 – 0,22 eV). Esto se considera más favorable que la estructura de bandas del heterosistema AlGaAs/GaAs.
InGaP es un grabado altamente selectivo para GaAs, que se utiliza como capa de parada de grabado en nuestra estructura epitaxial de LED. Esto aumentará la uniformidad y la capacidad de fabricación de los dispositivos de microdiodos emisores de luz. Pero la capa de parada de grabado GaInP aumentará la altura de la barrera de energía que debe superarse cuando los electrones fluyen del colector al subcolector. Bajo esta condición, la ganancia de corriente continua de la estructura LED MQW disminuirá. Por lo tanto, la capa de parada de grabado de InGaP debe ser lo suficientemente delgada para garantizar el rendimiento del dispositivo.
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