Oblea de GaAs
Single crystal Gallium Arsenide (GaAs) wafer is offered from Ganwafer – a leading GaAs substrate supplier for opto-electronics and micro-electronics industry for making LD, LED, microwave circuit and solar cell applications. The gallium arsenide substrates are in diameter range from 2″ to 6″ in various thicknesses and orientations. We offer single crystal GaAs substrates produced by VGF method, allowing us to provide customers the widest choice of GaAs material with high uniformity of electrical properties and excellent surface quality.
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Descripción
1. Especificaciones de la oblea de GaAs
1.1 Oblea de arseniuro de galio (GaAs) para aplicaciones LED
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de conducción | SC / de tipo n | Tipo SC/p con droga Zn Disponible |
| Método de crecimiento | VGF | |
| dopante | Silicio | Zn disponible |
| Diámetro de la oblea | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote o como corte disponibles |
| cristal Orientación | (100)2°/6°/15° apagado (110) | Otro desorientación disponibles |
| DE | EJ o US | |
| concentración de portadores | (0,4~2,5)E18/cm3 | |
| Resistividad a temperatura ambiente | (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm | |
| Movilidad | 1500~3000cm2/V.seg | |
| Densidad de grabado Pit | <5000/cm32 | |
| Marcado láser | a pedido | |
| Acabado de la superficie | P / E o P / P | |
| Espesor | 220 ~ 450um | |
| Listo epitaxia | Sí | |
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | |
1.2 Sustrato de arseniuro de galio monocristalino para aplicaciones de LD
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de conducción | SC / de tipo n | |
| Método de crecimiento | VGF | |
| dopante | Silicio | |
| Diámetro de la oblea | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote o como corte disponibles |
| cristal Orientación | (100)2°/6°/15°apagado (110) | Otro desorientación disponibles |
| DE | EJ o US | |
| concentración de portadores | (0,4~2,5)E18/cm3 | |
| Resistividad a temperatura ambiente | (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm | |
| Movilidad | 1500~3000cm2/V.seg | |
| Densidad de grabado Pit | <500/cm2 | |
| Marcado láser | a pedido | |
| Acabado de la superficie | P / E o P / P | |
| Espesor | 220 ~ 350um | |
| Listo epitaxia | Sí | |
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | |
1.3 Oblea de arseniuro de galio semiaislante para aplicaciones microelectrónicas
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de conducción | Aislante | |
| Método de crecimiento | VGF | |
| dopante | C doped | |
| Diámetro de la oblea | 2, 3 y 4 pulgadas | Lingote disponible |
| cristal Orientación | (100)+/- 0,5° | |
| DE | EJ, de Estados Unidos o muesca | |
| concentración de portadores | n / a | |
| Resistividad a temperatura ambiente | > 1E7 Ohm.cm | |
| Movilidad | >5000cm2/V.seg | |
| Densidad de grabado Pit | <8000 /cm2 | |
| Marcado láser | a pedido | |
| Acabado de la superficie | PÁGINAS | |
| Espesor | 350 ~ 675um | |
| Listo epitaxia | Sí | |
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | |
1.4 150mm GaAs Wafer Substrate, Semi-insulated for Microelectronics Applications (including Fabrication of THz Photoconductive Antennas)
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de conducción | Semiaislante | - |
| Método crecer | VGF | - |
| dopante | C doped | - |
| Tipo | norte | - |
| Diámetro (mm) | 150 ± 0.25 | - |
| Orientación | (100)0°±3,0° | - |
| muesca de orientación | (010)±2° | - |
| MUESCA Profundidad (mm) | (1-1,25)mm 89°-95° | - |
| concentración de portadores | por favor consulte a nuestro equipo de ventas | - |
| Resistividad (ohm.cm) | >1.0×107o 0.8-9x10-3 | - |
| Movilidad (cm2 / vs) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas | - |
| Dislocación | por favor consulte a nuestro equipo de ventas | - |
| Espesor (m) | 675 ± 25 | - |
| Exclusión de borde para arco y deformación (mm) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas | - |
| Bow (m) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas | - |
| Warp (m) | ≤20,0 | - |
| TTV (m) | ≤10,0 | - |
| TIR (m) | ≤10,0 | - |
| LFPD (m) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas | - |
| Pulido | P / P Epi-Ready | - |
Especificaciones de oblea de 1,5 2″ LT-GaAs (arseniuro de galio cultivado a baja temperatura)
| Artículo | Especificaciones |
| Tipo de conducción | Semiaislante |
| Método crecer | VGF |
| dopante | C doped |
| Tipo | norte |
| Diámetro (mm) | 150 ± 0.25 |
| Orientación | (100)0°±3,0° |
| muesca de orientación | (010)±2° |
| MUESCA Profundidad (mm) | (1-1,25)mm 89°-95° |
| concentración de portadores | por favor consulte a nuestro equipo de ventas |
| Resistividad (ohm.cm) | >1.0×107o 0.8-9x10-3 |
| Movilidad (cm2/vs) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas |
| Dislocación | por favor consulte a nuestro equipo de ventas |
| Espesor (m) | 675 ± 25 |
| Exclusión de borde para arco y deformación (mm) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas |
| Bow (m) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas |
| Warp (m) | ≤20,0 |
| TTV (m) | ≤10,0 |
| TIR (m) | ≤10,0 |
| LFPD (m) | por favor consulte a nuestro equipo de ventas |
| Pulido | P / P Epi-Ready |
El sustrato de arseniuro de galio se puede utilizar como material de sustrato para el crecimiento epitaxial de otros semiconductores como el arseniuro de aluminio y galio (AlGaAs) y el arseniuro de indio y galio (InGaAs). La brecha de banda directa de arseniuro de galio puede emitir y absorber luz de manera efectiva. La oblea monocristalina de arseniuro de galio tiene una movilidad de electrones extremadamente alta, lo que permite que los transistores de GaAs funcionen a frecuencias superiores a 250 GHz y reduce el ruido. Las altas frecuencias tienden a reducir la interferencia de la señal eléctrica en los circuitos electrónicos.
2. Preguntas y respuestas sobre la oblea de arseniuro de galio
2.1 ¿Qué es el Proceso GaAs?
Antes de la fabricación del dispositivo, las obleas de GaAs deben limpiarse por completo para eliminar cualquier daño ocurrido durante el proceso de corte en cubitos. Después de la limpieza, las obleas de arseniuro de galio se pulen/plaranizan químicamente mecánicamente (CMP) para la etapa final de eliminación de material. Este proceso CMP permite obtener superficies superplanas similares a espejos con una rugosidad residual a escala atómica. Y luego, la oblea semiconductora de arseniuro de galio está lista para la fabricación.
2.2 ¿Qué es una oblea de GaAs?
El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico, que es un semiconductor de banda prohibida directa III-V con una estructura cristalina de blenda de zinc.
La oblea de arseniuro de galio es un importante material semiconductor. Pertenece al grupo de semiconductores compuestos III-V. Es una estructura de celosía de tipo esfalerita con una constante de celosía de 5,65 × 10-10 m, un punto de fusión de 1237 ℃ y una banda prohibida de 1,4 EV. El monocristal de GaAs se puede convertir en materiales semiaislantes de alta resistencia con una resistividad superior a la del silicio y el germanio en más de tres órdenes de magnitud, que se pueden utilizar para fabricar sustratos de circuitos integrados, detectores de infrarrojos, detectores de fotones γ, etc. Debido a la movilidad de los electrones de sustrato de arseniuro de galio es 5-6 veces más grande que el de silicio, la oblea de arseniuro de galio para la venta ha sido ampliamente utilizada en dispositivos de microondas y circuitos digitales de alta velocidad. El dispositivo semiconductor hecho de GaAs tiene las ventajas de alta frecuencia, alta temperatura y baja temperatura, bajo nivel de ruido y fuerte resistencia a la radiación. Debido a las excelentes propiedades del arseniuro de galio, también se puede utilizar para fabricar dispositivos de efecto masivo.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
