GaInP / AlInP Işık Yayan Diyot Yapısı
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality III-V üçlü yarı iletken malzeme is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. Işık Yayan Diyotun GaAs Epi Yapısı
No.1 GaAs LED Epitaxy
|
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
| Katman Malzemesi | Kalınlığı | Not |
| p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
mg katkılı |
| p-GaP | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| DBR | - | |
| Aşındırma durdurma n-GaInP | 20 nm | |
| Tampon katman | - | |
| GaAs altları. | 350 um | |
Kuantum ışık yayan diyot gofretinin PL ve El testi diyagram olarak gösterilmiştir:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | Malzeme | Kalınlığı |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| aktif katman | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| Tampon katman | N-GaAs | |
| substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | Malzeme | Kalınlığı |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| aktif katman | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| Tampon katman | N-GaAs | 300nm |
| substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
Alüminyum içeren malzemeleri ikame etmek için büyük potansiyel gösteren InGaP, genellikle GaAs substratı üzerinde yetiştirilen kritik bir yarı iletken malzemedir. Özellikleri, büyüme yöntemi, alt tabaka sıcaklığı, büyüme hızı, alt tabaka oryantasyonu, III/V oranı vb. gibi büyüme koşullarıyla yakından ilişkilidir. Bu nedenle InGaP, kırmızı yüksek parlaklıkta LED'ler gibi çeşitli uygulamalar için heteroyapıları büyütmek için idealdir.
InGaP / GaAs heteroyapısının çekiciliği, bant hizalamasından kaynaklanır, değerlik bant kayması (AEv = 0.24 – 0.40 eV), iletim bant kaymasından (Mc = 0.03 – 0.22 eV) önemli ölçüde daha büyüktür. Bunun AlGaAs/GaAs hetero sisteminin bant yapısından daha uygun olduğu düşünülmektedir.
InGaP, LED epitaksiyel yapımızda aşındırma durdurma katmanı olarak kullanılan GaAs'a oldukça seçici aşındırmadır. Bu, mikro ışık yayan diyot cihazlarının uformitesini ve üretilebilirliğini artıracaktır. Ancak GaInP aşındırma durdurma katmanı, elektronlar toplayıcıdan alt toplayıcıya akarken aşılması gereken enerji bariyerinin yüksekliğini artıracaktır. Bu durumda MQW LED yapısının DC akım kazancı azalacaktır. Bu nedenle, InGaP'ın aşındırma durdurma katmanı, cihaz performansını sağlamak için yeterince ince olmalıdır.
Daha fazla bilgi için lütfen adresinden bize e-posta gönderin sales@ganwafer.com ve tech@ganwafer.com.
