GaInP / AlInP ஒளி உமிழும் டையோடு அமைப்பு
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality III-V மும்முனை குறைக்கடத்தி பொருள் is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. ஒளி உமிழும் டையோடு GaAs Epi அமைப்பு
No.1 GaAs LED Epitaxy
|
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
| அடுக்கு பொருள் | தடிமன் | குறிப்பு |
| p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
Mg ஊக்கமருந்து |
| p-GaP | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| டிபிஆர் | - | |
| எட்ச் ஸ்டாப் n-GaInP | 20 என்எம் | |
| தாங்கல் அடுக்கு | - | |
| GaAs துணைகள். | 350 உம் | |
குவாண்டம் ஒளி உமிழும் டையோடு செதில்களின் PL மற்றும் El சோதனை வரைபடமாக காட்டப்பட்டுள்ளது:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | பொருள் | தடிமன் |
| P-cladding layer | பி-அல்இன்பி | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| தாங்கல் அடுக்கு | N-GaAs | |
| அடி மூலக்கூறு | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | பொருள் | தடிமன் |
| P-cladding layer | பி-அல்இன்பி | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| தாங்கல் அடுக்கு | N-GaAs | 300nm |
| அடி மூலக்கூறு | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, அலுமினியம் உள்ள பொருட்களை மாற்றுவதற்கான பெரும் ஆற்றலைக் காட்டுகிறது, இது பொதுவாக GaAs அடி மூலக்கூறில் வளர்க்கப்படும் ஒரு முக்கியமான குறைக்கடத்தி பொருளாகும். அதன் பண்புகள், வளர்ச்சி முறை, அடி மூலக்கூறு வெப்பநிலை, வளர்ச்சி விகிதம், அடி மூலக்கூறு நோக்குநிலை, III/V விகிதம் போன்ற வளர்ச்சி நிலைகளுடன் நெருக்கமாக தொடர்புடையது. எனவே InGaP ஆனது சிவப்பு உயர் ஒளிர்வு LED கள் போன்ற பல பயன்பாடுகளுக்கான ஹெட்டோரோஸ்ட்ரக்சர்களை வளர்ப்பதற்கு ஏற்றது.
InGaP / GaAs ஹீட்டோரோஸ்ட்ரக்சரின் கவர்ச்சியானது அதன் பேண்ட் சீரமைப்பிலிருந்து உருவாகிறது, வேலன்ஸ் பேண்ட் ஆஃப்செட் (AEv = 0.24 - 0.40 eV) கடத்தல் பேண்ட் ஆஃப்செட்டை விட (Mc = 0.03 - 0.22 eV) கணிசமாக பெரியது. இது AlGaAs / GaAs hetero அமைப்பின் இசைக்குழு அமைப்பை விட மிகவும் சாதகமானதாக கருதப்படுகிறது.
InGaP என்பது GaA களுக்கு மிகவும் தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட பொறிப்பு ஆகும், இது LED இன் எபிடாக்சியல் கட்டமைப்பில் எட்ச் ஸ்டாப் லேயராகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இது மைக்ரோ லைட் உமிழும் டையோடு சாதனங்களின் சீருடைமை மற்றும் பன்முகத்தன்மையை அதிகரிக்கும். ஆனால் GaInP எட்ச் ஸ்டாப் அடுக்கு ஆற்றல் தடையின் உயரத்தை அதிகரிக்கும், இது எலக்ட்ரான்கள் சேகரிப்பாளரிலிருந்து துணை சேகரிப்பாளருக்கு பாயும் போது கடக்கப்பட வேண்டும். இந்த நிபந்தனையின் கீழ், MQW LED கட்டமைப்பின் DC தற்போதைய ஆதாயம் குறையும். எனவே, InGaP இன் எட்ச் ஸ்டாப் லேயர் சாதனத்தின் செயல்திறனை உறுதிப்படுத்தும் அளவுக்கு மெல்லியதாக இருக்க வேண்டும்.
மேலும் தகவலுக்கு, தயவுசெய்து எங்களை மின்னஞ்சல் முகவரியில் தொடர்பு கொள்ளவும்sales@ganwafer.com மற்றும் tech@ganwafer.com.
