Struktur Diod Pemancar Cahaya GaInP / AlInP
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality Bahan semikonduktor ternari III-V is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. Struktur GaAs Epi Diod Pemancar Cahaya
No.1 GaAs LED Epitaxy
|
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
| Bahan Lapisan | ketebalan | Nota |
| p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
mg didopkan |
| p-Jurang | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| DBR | - | |
| Hentian goresan n-GaInP | 20 nm | |
| lapisan penampan | - | |
| Subs GaAs. | 350 um | |
Ujian PL dan El bagi wafer diod pemancar cahaya kuantum ditunjukkan sebagai rajah:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | Material | ketebalan |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| lapisan penampan | N-GaAs | |
| substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | Material | ketebalan |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| lapisan penampan | N-GaAs | 300nm |
| substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, yang menunjukkan potensi besar untuk menggantikan bahan yang mengandungi aluminium, ialah bahan semikonduktor kritikal yang biasanya ditanam pada substrat GaAs. Sifatnya berkait rapat dengan keadaan pertumbuhan, seperti kaedah pertumbuhan, suhu substrat, kadar pertumbuhan, orientasi substrat, nisbah III/V, dsb. Jadi InGaP sesuai untuk mengembangkan heterostruktur untuk beberapa aplikasi, seperti LED kecerahan tinggi merah.
Daya tarikan heterostruktur InGaP / GaAs berpunca daripada penjajaran jalurnya, ofset jalur valens (AEv = 0.24 – 0.40 eV) adalah jauh lebih besar daripada offset jalur konduksi (Mc = 0.03 – 0.22 eV). Ini dianggap lebih baik daripada struktur jalur sistem hetero AlGaAs / GaAs.
InGaP adalah etsa yang sangat selektif kepada GaA, yang digunakan sebagai lapisan henti goresan dalam struktur epitaxial LED kami. Ini akan meningkatkan uformity dan kebolehgunaan peranti diod pemancar cahaya mikro. Tetapi lapisan henti etch GaInP akan meningkatkan ketinggian penghalang tenaga yang mesti diatasi apabila elektron mengalir dari pengumpul ke pengumpul kecil. Di bawah keadaan ini, keuntungan arus DC bagi struktur LED MQW akan berkurangan. Oleh itu, lapisan henti goresan InGaP hendaklah cukup nipis untuk memastikan prestasi peranti.
Untuk maklumat lebih lanjut, sila hubungi kami melalui e-mel di sales@ganwafer.com dan tech@ganwafer.com.
