GaInP / AlInP ljusavgivande diodstruktur
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality III-V ternärt halvledarmaterial is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. GaAs Epi-struktur för ljusemitterande diod
No.1 GaAs LED Epitaxy
|
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
| Lagermaterial | Tjocklek | Notera |
| p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
mg dopad |
| p-GaP | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| DBR | - | |
| Etsstopp n-GaInP | 20 nm | |
| Buffertlager | - | |
| GaAs subs. | 350 um | |
PL- och El-test av kvantljusemitterande diodskiva visas som diagrammet:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | Material | Tjocklek |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Aktivt lager | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900 nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| Buffertlager | N-GaAs | |
| Substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | Material | Tjocklek |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Aktivt lager | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| Buffertlager | N-GaAs | 300 nm |
| Substrat | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, som visar stor potential att ersätta de aluminiuminnehållande materialen, är ett kritiskt halvledarmaterial som vanligtvis odlas på GaAs-substrat. Dess egenskaper är nära besläktade med tillväxtförhållanden, såsom tillväxtmetod, substrattemperatur, tillväxthastighet, substratorientering, III/V-förhållande, etc. Så InGaP är idealisk för att odla heterostrukturer för flera applikationer, såsom röda lysdioder med hög ljusstyrka.
Attraktionskraften hos InGaP / GaAs-heterostrukturen härrör från dess bandinriktning, valensbandsförskjutningen (AEv = 0,24 - 0,40 eV) är betydligt större än ledningsbandsförskjutningen (Mc = 0,03 - 0,22 eV). Detta anses vara mer fördelaktigt än bandstrukturen för AlGaAs/GaAs-heterosystemet.
InGaP är mycket selektiv etsning till GaAs, som används som etsningsstoppskikt i vår epitaxiella struktur av LED. Detta kommer att öka uformiteten och möjligheten att tillverka mikroljusemitterande diodenheter. Men GaInP ets-stoppskiktet kommer att öka höjden av energibarriären som måste övervinnas när elektroner strömmar från kollektor till sub-kollektor. Under detta tillstånd kommer DC-strömförstärkningen för MQW LED-struktur att minska. Således bör etsstoppskiktet i InGaP vara tillräckligt tunt för att säkerställa enhetens prestanda.
För mer information, kontakta oss via e-post på sales@ganwafer.com och tech@ganwafer.com.
