GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
I tidigare studier för GaN på safirsubstrat fann man tecken på mikrosprickbildning i safirsubstratet under GaN-tillväxt. Men bildandet av makrosprickor som sträcker sig till GaN-ytan ansågs härröra endast från termisk obalans. Senare, när GaN-skikten på safir växte över 100 mm, fann man att det fanns en effektiv avslappningsprocess för GaN-mall på safir. Tillväxten av sprickfri GaN-på-safirmall som närmar sig 2 tum i diameter har visats. Det har visat sig att sprickor vanligtvis redan bildas under tillväxt av GaN/safirmallen på grund av dragpåkänning som bildas under tidig kärnbildning. Denna tidiga sprickbildning på GaN på safirmallen kan ha negativa effekter; mikrosprickor i safirsubstratet kan fungera som efterföljande initiala brottpunkter för att lindra den ökade spänningen på grund av de olika värmeutvidgningskoefficienterna för skikten och substratet under kylning. Även om det kan hittas tillväxtförhållanden som leder till sprickläkning under tillväxt så stämmer det. Diffusiviteten hos de odlade GaN-filmerna på safirytan anses vara en viktig parameter för läkning av sådana sprickor.
