InP Wafer

InP Wafer

Indium phosphide (InP) is one of the important III-V compound semiconductors. It has the advantages of high electron mobility, good radiation resistance, and high band gap, which means that this material can amplify higher frequencies or signals with shorter wavelengths. Therefore, satellite receivers and amplifiers made of indium phosphide chips can work at extremely high frequencies above 100 GHz with high stability. Compared with gallium arsenide semiconductor materials, single crystal indium phosphide for sale from Ganwafer has a higher breakdown electric field and thermal conductivity, and higher electron mobility. More about our InP semiconductor wafer please see as follows:

Beskrivning

För närvarande är huvudstorlekarna på InP enkristallsubstrat 2-4 tum. Från råmaterial till göt skärs indiumfosfid till en 2-tums eller 4-tums wafer. Avkastningsgraden är i allmänhet cirka 28 %, och den tekniska tröskeln är generellt sett inte hög. Ju större indiumfosfidskivan är, desto högre är värdet.

1. Detaljerade specifikationer för indiumfosfidwafer

1.1. 4″ InP (Indium Phosphide) Single Crystal Wafer Specifikation

Punkt Specifikationer
dopningsmedel N-typ N-typ P-typ SI-typ
ledningstyp low doped Svavel Zink lron
wafer Diameter 4 "
Wafer orientering (100) ± 0,5 °
Wafer tjocklek 600±25um
Primär Flat Längd 16±2mm
Sekundär Flat Längd 8±1 mm
bärarkoncentration ≤3x1016cm-3 (0,8-6)x1018cm-3 (0,6-6)x1018cm-3 N / A
Rörlighet (3,5-4)x103cm2/Vs (1,5-3,5)x103cm2/Vs 50-70x103cm2/Vs >1000 cm2/Vs
resistivitet N / A N / A N / A N / A
EPD <1000 cm-2 <500 cm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <15um
ROSETT <15um
VARP <15um
Lasermärkning på förfrågan
Ytfinish P / E, P / P
Epi redo ja
Paket Enkel waferbehållare eller kassett

 

1.2. Specifikation för 3″ indiumfosfidwafersubstrat

Punkt Specifikationer
dopningsmedel N-typ N-typ P-typ SI-typ
ledningstyp low doped Svavel Zink lron
wafer Diameter 3 "
Wafer orientering (100) ± 0,5 °
Wafer tjocklek 600±25um
Primär Flat Längd 16±2mm
Sekundär Flat Längd 8±1 mm
bärarkoncentration ≤3x1016cm-3 (0,8-6)x1018cm-3 (0,6-6)x1018cm-3 N / A
Rörlighet (3,5-4)x103cm2/Vs (1,5-3,5)x103cm2/Vs 50-70x103cm2/Vs >1000 cm2/Vs
resistivitet N / A N / A N / A N / A
EPD <1000 cm-2 <500 cm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <12um
ROSETT <12um
VARP <15um
Lasermärkning på förfrågan
Ytfinish P / E, P / P
Epi redo ja
Paket Enkel waferbehållare eller kassett

1.3. 2″ InP Wafer Substrate Specifikation

Punkt Specifikationer
dopningsmedel N-typ N-typ P-typ SI-typ
ledningstyp low doped Svavel Zink lron
wafer Diameter 2 "
Wafer orientering (100) ± 0,5 °
Wafer tjocklek 350±25um
Primär Flat Längd 16±2mm
Sekundär Flat Längd 8±1 mm
bärarkoncentration 3x1016cm-3 (0,8-6)x1018cm-3 (0,6-6)x1018cm-3 N / A
Rörlighet (3,5-4)x103cm2/Vs (1,5-3,5)x103cm2/Vs 50-70x103cm2/Vs >1000 cm2/Vs
resistivitet N / A N / A N / A N / A
EPD <1000 cm-2 <500 cm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <10um
ROSETT <10um
VARP <12um
Lasermärkning på förfrågan
Ytfinish P / E, P / P
Epi redo ja
Paket Enkel waferbehållare eller kassett

 

2. Klassificering och tillämpning av indiumfosfid

Beroende på konduktivitetsprestanda är InP-substrat huvudsakligen uppdelade i halvledande och halvisolerande substrat.
Halvledarsubstrat klassificeras i halvledande substrat av N-typ och P-typ. Vanligtvis används In2S3 och Sn som dopmedel för substrat av N-typ, och ZnP2 används som dopmedel för substrat av p-typ. Syftet med användningen av olika dopämnen är att tillhandahålla substrat av olika konduktivitetstyper för tillverkning av enheter, specifikt enligt följande:
* N-typ S-dopad InP används inte bara för laserdioder, utan även för fotodetektorer. För att undvika läckström som genereras av dislokationer är dislokationsfri indiumfosfidhalvledare dopad med S nödvändig. Eftersom svavel har en uppenbar föroreningshärdande effekt i InP-substrat, är dislokationsfria indiumfosfid-enkristaller lätta att odla.
* Zn-dopad indiumfosfid av P-typ (InP) används främst för laserdioder med hög effekt. Zn har också en stark föroreningshärdande effekt, så det kan också göra dislokationsförhållandet lågt. Låg dislokation är mycket viktigt för att förbättra laserns livslängd.
* Halvisolerande InP-substrat klassificeras i dopade halvisolerande substrat och icke-dopade halvisolerande substrat beroende på om de är dopade eller inte. Dopade halvisolerande substrat använder vanligtvis Fe2P som dopningsmedel. Det icke-dopade halvisolerande substratet är tillverkat av högrent InP enkristallsubstrat genom högtemperaturglödgning. Halvisolerande indiumfosfidhalvledarsubstrat används huvudsakligen för att tillverka radiofrekvensenheter.

    har lagts till i din varukorg:
    Kassan