Cấu trúc Diode phát quang GaInP / AlInP
Light emitting diode (LED) structure with GaInP / AlInP epilayers can be offered by Ganwafer. The ternary InGaP and AlInP materials are lattice matched to GaAs susbtrate, which can be grown by MOCVD. Growing high quality Vật liệu bán dẫn bậc ba-V is important to the fabrication of light emitting diodes, laser diodes and multi-junction photovoltaic. Light emitting diode structure with ternary GaInP and AlInP epilayers from Ganwafer is shown as follows:
1. Cấu trúc Epi GaAs của Diode phát quang
No.1 GaAs LED Epitaxy
|
GaAs LED Structure (GANWP20065-LED) |
||
| Vật liệu lớp | Độ dày | chú thích |
| p-GaInP | - | Composition of In: 0.5;
mg pha tạp |
| p-GAP | - | |
| p-AlInP | - | |
| MQW | - | |
| n-AlInP | - | |
| DBR | - | |
| Etch stop n-GaInP | 20 nm | |
| Lớp đệm | - | |
| GaAs đăng ký. | 350 um | |
Thử nghiệm PL và El của tấm wafer điốt phát quang lượng tử được thể hiện như sơ đồ:
No. 2 GaAs based InGaP LED Epitaxy Wafer
GANW190724-INGAP
| Layer Name | Chất liệu | Độ dày |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | 900nm |
| Bragg reflector | N-AlGaAs/AlAs | - |
| Lớp đệm | N-GaAs | |
| bề mặt | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
No. 3 GaAs based LED Epitaxial Structure
GANWP19168-INGAP
| Layer Name | Chất liệu | Độ dày |
| P-cladding layer | P-AlInP | - |
| Active layer | MQW | - |
| N-cladding layer | N-AlInP | - |
| Lớp đệm | N-GaAs | 300nm |
| bề mặt | N-GaAs on-axis (100) plane without offcut |
2. FAQ of GaAs Light Emitting Diode Wafer
Q：We observed two MQW regions in GaInP LED wafer (GANWP19168-INGAP), illustrated in below figure. There are 9 pairs in each MQW separated by a thick barrier layer. May I know any reason to grow this kind of structure instead of a single stack of MQWs?
A: These are two groups of identical quantum wells in InGaP LED epitaxy. In order to increase the thickness of the active region and improve the reliability of the LED chip, the middle layer can be used normally without any influence on the photoelectric performance.
3. InGaP on GaAs for Light Emitting Diode Structure
InGaP, cho thấy tiềm năng lớn để thay thế các vật liệu chứa nhôm, là một vật liệu bán dẫn quan trọng thường được trồng trên đế GaAs. Các đặc tính của nó có liên quan chặt chẽ đến điều kiện sinh trưởng, chẳng hạn như phương pháp tăng trưởng, nhiệt độ chất nền, tốc độ tăng trưởng, hướng chất nền, tỷ lệ III / V, v.v. Vì vậy, InGaP lý tưởng để phát triển cấu trúc dị hình cho một số ứng dụng, chẳng hạn như đèn LED độ sáng cao màu đỏ.
Sự hấp dẫn của dị cấu trúc InGaP / GaAs bắt nguồn từ sự liên kết vùng của nó, độ lệch vùng hóa trị (AEv = 0,24 - 0,40 eV) lớn hơn đáng kể so với độ lệch vùng dẫn (Mc = 0,03 - 0,22 eV). Điều này được coi là thuận lợi hơn so với cấu trúc vùng của hệ thống dị thể AlGaAs / GaAs.
InGaP là cách khắc có chọn lọc cao đối với GaAs, được sử dụng làm lớp dừng khắc trong cấu trúc biểu mô của đèn LED. Điều này sẽ làm tăng tính ổn định và khả năng sản xuất của các thiết bị điốt phát quang vi mô. Nhưng lớp dừng khắc GaInP sẽ làm tăng chiều cao của rào cản năng lượng mà phải vượt qua khi các điện tử di chuyển từ bộ thu sang bộ thu phụ. Trong điều kiện này, mức tăng dòng một chiều của cấu trúc LED MQW sẽ giảm. Do đó, lớp dừng khắc của InGaP phải đủ mỏng để đảm bảo hiệu suất của thiết bị.
Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi qua email sales@ganwafer.com và tech@ganwafer.com.
