GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
Trong các nghiên cứu trước đây đối với GaN trên nền sapphire, bằng chứng về sự hình thành vết nứt nhỏ trên nền sapphire trong quá trình tăng trưởng GaN đã được tìm thấy. Nhưng sự hình thành các vết nứt vĩ mô kéo dài đến bề mặt GaN được cho là chỉ bắt nguồn từ sự không phù hợp nhiệt. Sau đó, khi các lớp GaN trên sapphire lớn hơn 100 mm, người ta nhận thấy rằng có một quá trình giãn hiệu quả cho mẫu GaN trên sapphire. Sự phát triển của mẫu GaN-trên-sapphire không có vết nứt có đường kính đạt tới 2 inch đã được chứng minh. Người ta nhận thấy rằng các vết nứt thường đã được hình thành trong quá trình phát triển của mẫu GaN / sapphire do biến dạng kéo hình thành trong quá trình tạo mầm ban đầu. Sự hình thành vết nứt sớm này trên GaN trên mẫu sapphire có thể có tác dụng phụ; các vết nứt nhỏ trên nền sapphire có thể hoạt động như các điểm đứt gãy ban đầu tiếp theo để làm giảm biến dạng tăng lên do các hệ số giãn nở nhiệt khác nhau của các lớp và chất nền trong quá trình làm mát. Ngay cả khi điều kiện tăng trưởng có thể được tìm thấy dẫn đến việc chữa lành vết nứt trong quá trình tăng trưởng là đúng. Sự khuếch tán của các màng GaN phát triển trên bề mặt sapphire được coi là một thông số quan trọng để chữa lành các vết nứt như vậy.
