GaN trên Silicon HEMT Wafer

GaN trên Silicon HEMT Wafer

Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:

Miêu tả

1. GaN trên Silicon HEMT Wafer, D-MODE

1.1 Đặc điểm kỹ thuật của GaN HEMT Wafer trên Silicon, D-MODE

Kích thước Wafer 2 ", 4", 6 ", 8"
cấu trúc AlGaN / GaN HEMT Tham khảo 1.2
Mật độ tàu sân bay > 9E12 cm2
Hội trường di động /
Điện trở suất tấm /
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25nm
Cúi chào (ừm) <= 30um
loại trừ cạnh <5mm
Lớp thụ động SiN 0 ~ 5nm
lớp mũ u-GaN 2nm
Thành phần Al 20-30%
Lớp rào cản AlGaN /
Kênh GaN /
Bộ đệm AlGaN /
AlN /
Vật liệu nền Chất nền silicon
Độ dày tấm Si (μm) 675um (2 ″), 1000um (4 ″), 1300um (6 ″), 1500um (8 ″)

 

1.2 Cấu trúc của GaN HEMT Wafer trên Silicon, D-MODE

2. GaN trên Silicon HEMT Epitaxy, E-MODE

Kích thước Wafer 2 ", 4", 6 ", 8"
cấu trúc AlGaN / GaN HEMT Tham khảo 1.2
Mật độ 2DEG dư (Vg = 0 V) <1e18 / cm3
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25nm
Cúi chào (ừm) <= 30um
loại trừ cạnh <5mm
p-GaN /
lớp mũ u-GaN /
Thành phần Al 20-30%
Lớp rào cản AlGaN /
Kênh GaN /
Bộ đệm AlGaN /
Vật liệu nền Chất nền silicon
Độ dày tấm Si (μm) 675um (2 ″), 1000um (4 ″), 1300um (6 ″), 1500um (8 ″)

 

3. Gali Nitride HEMT Wafer trên Silicon cho ứng dụng RF

Kích thước Wafer 2 ", 4", 6 ", 8"
cấu trúc AlGaN / GaN HEMT Tham khảo 1.2
Mật độ tàu sân bay > 9E12 cm2
Hội trường di động /
Điện trở suất tấm /
AFM RMS (nm) 5x5um2 <0,25nm
Cúi chào (ừm) <= 30um
loại trừ cạnh <5mm
Lớp thụ động SiN 0 ~ 5nm
lớp mũ u-GaN /
Thành phần Al 20-30%
Lớp rào cản AlGaN /
Kênh GaN /
Bộ đệm AlGaN /
AlN /
Vật liệu nền Chất nền silicon
Điện trở suất chất nền Si (Ω cm) > 3000
Độ dày tấm Si (μm) 1000um (2 ″), 1000um (4 ″), 1300um (6 ″), 1500um (8 ″)

 

    Đã được thêm vào giỏ hàng của bạn:
    Thanh toán