GaN trên GaN

GaN trên GaN

GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:

Miêu tả

1. Lớp N + GaN trên N + GaN Substrate

Mục 1 Đặc tính kỹ thuật
GaN wafer 100 mm hoặc 50,8 mm, N + GaN Wafer
Tăng trưởng 1Epi N +, 10-15um, Nd: 1E15-1E16

 

2. Lớp N + / P + GaN trên N + GaN Substrate

Mục 2 Đặc tính kỹ thuật
GaN wafer 100 mm hoặc 50,8 mm, N + GaN Wafer
Tăng trưởng 1Epi N +, 10-15um, Nd: 1E15-1E16
Tăng trưởng 2Epi 0,5-2um, loại P, Na: 1E17-1E19
Tăng trưởng 3Epi 0,1um, loại P, GaN, Na: -8E19

 

3. Lớp N + GaN trên nền GaN bán cách điện

Mục 3 Đặc tính kỹ thuật
GaN wafer 100 mm hoặc 50,8 mm, GaN Wafer bán cách điện
Tăng trưởng 1Epi N +, 10-15um, Nd: 1E15-1E16

 

4. Công nghệ dọc của GaN / GaN Wafer

Công nghệ GaN dọc sử dụng đầy đủ các đặc tính của GaN vì nó dựa trên sự phát triển đồng trục của GaN trên chất nền GaN. Các tính năng rõ ràng của công nghệ GaN dọc:

Sự phát triển đồng trục trên chất nền GaN thu được phổ tốt nhất của các góc cắt này, dẫn đến hình thái tốt nhất và hiệu suất thiết bị tốt nhất. Sử dụng linh hoạt chất nền GaN số lượng lớn từ có thể tạo ra n-GaN pha tạp cực thấp. Kiểm soát sự pha tạp Mg là phân loại các điểm nối pn trong quá trình sinh trưởng. Tạo ra điểm tiếp giáp pn sắc nét khi cần thiết là một quá trình phục hồi phẳng để tạo nhám bề mặt với độ nhám bề mặt cực thấp. Trong trường hợp p GaN / n GaN thẳng đứng, cả chất nền và lớp biểu mô đều là GaN với mật độ khuyết tật cực kỳ thấp.

 

Nhận xét:
Chính phủ Trung Quốc đã công bố các giới hạn mới đối với việc xuất khẩu vật liệu Gallium (chẳng hạn như GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs và GaSb) và vật liệu Germanium được sử dụng để sản xuất chip bán dẫn. Từ ngày 1 tháng 8 năm 2023 trở đi, chúng tôi chỉ được phép xuất khẩu những nguyên liệu này nếu chúng tôi nhận được giấy phép từ Bộ Thương mại Trung Quốc. Hi vọng bạn hiểu!

    Đã được thêm vào giỏ hàng của bạn:
    Thanh toán