GaN Epi su Zaffiro/Silicio

GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.

In studi precedenti per GaN su substrato di zaffiro, è stata trovata evidenza di formazione di microfessure nel substrato di zaffiro durante la crescita di GaN. Ma si pensava che la formazione di macrofessure che si estendevano alla superficie del GaN provenisse solo dal disadattamento termico. Successivamente, quando gli strati di GaN sullo zaffiro sono cresciuti oltre i 100 mm, si è scoperto che esisteva un processo di rilassamento efficiente per il modello GaN sullo zaffiro. È stata dimostrata la crescita di un modello GaN-on-zaffiro privo di crepe che si avvicina a 2 pollici di diametro. È stato riscontrato che le cricche si formano solitamente già durante la crescita del modello GaN/zaffiro a causa della deformazione di trazione formata durante la prima nucleazione. Questa formazione iniziale di crepe su GaN su stampo in zaffiro può avere effetti negativi; microfessure nel substrato di zaffiro possono fungere da successivi punti di frattura iniziale per alleviare la maggiore deformazione dovuta ai diversi coefficienti di dilatazione termica degli strati e del substrato durante il raffreddamento. Anche se si possono trovare condizioni di crescita che portano alla guarigione delle crepe durante la crescita, ciò è vero. La diffusività dei film di GaN cresciuti sulla superficie dello zaffiro è considerata un parametro importante per la guarigione di tali crepe.

è stato aggiunto al tuo carrello:
Cassa