GaN Epi na szafirze/krzemie

GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.

We wcześniejszych badaniach GaN na podłożu szafirowym znaleziono dowody na tworzenie się mikropęknięć w podłożu szafirowym podczas wzrostu GaN. Uważano jednak, że powstawanie makropęknięć rozciągających się na powierzchnię GaN pochodzi wyłącznie z niedopasowania termicznego. Później, gdy warstwy GaN na szafirze urosły powyżej 100 mm, odkryto, że istnieje wydajny proces relaksacji matrycy GaN na szafirze. Wykazano wzrost pozbawionego pęknięć szablonu GaN-on-szafir o średnicy dochodzącej do 2 cali. Stwierdzono, że pęknięcia zwykle tworzą się już podczas wzrostu matrycy GaN/szafir ze względu na naprężenie rozciągające powstałe podczas wczesnego zarodkowania. To wczesne powstawanie pęknięć na GaN na szablonie szafirowym może mieć niekorzystne skutki; mikropęknięcia w podłożu szafirowym mogą działać jako kolejne początkowe punkty pękania w celu złagodzenia zwiększonego odkształcenia z powodu różnych współczynników rozszerzalności cieplnej warstw i podłoża podczas chłodzenia. Nawet jeśli można znaleźć warunki wzrostu, które prowadzą do gojenia pęknięć podczas wzrostu, jest to prawdą. Dyfuzyjność wyhodowanych warstw GaN na powierzchni szafiru jest uważana za ważny parametr gojenia takich pęknięć.

został dodany do Twojego koszyka:
Zamówienie