GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
En estudios anteriores de GaN en sustrato de zafiro, se encontró evidencia de formación de microfisuras en el sustrato de zafiro durante el crecimiento de GaN. Pero se pensaba que la formación de macrofisuras que se extendían hasta la superficie de GaN se originaba solo por un desajuste térmico. Más tarde, cuando las capas de GaN en el zafiro crecieron más de 100 mm, se descubrió que había un proceso de relajación eficiente para la plantilla de GaN en el zafiro. Se ha demostrado el crecimiento de una plantilla de GaN sobre zafiro sin grietas que se aproxima a las 2 pulgadas de diámetro. Se ha encontrado que las grietas generalmente ya se forman durante el crecimiento de la plantilla de GaN/zafiro debido a la tensión de tracción formada durante la nucleación temprana. Esta formación temprana de grietas en la plantilla de GaN sobre zafiro puede tener efectos adversos; las microfisuras en el sustrato de zafiro pueden actuar como puntos de fractura iniciales subsiguientes para aliviar el aumento de tensión debido a los diferentes coeficientes de expansión térmica de las capas y el sustrato durante el enfriamiento. Incluso si se pueden encontrar condiciones de crecimiento que conduzcan a la curación de grietas durante el crecimiento, eso es cierto. La difusividad de las películas de GaN desarrolladas sobre la superficie del zafiro se considera un parámetro importante para la curación de tales grietas.
