சபையர்/சிலிக்கானில் GaN எபி

GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.

சபையர் அடி மூலக்கூறு பற்றிய GaN க்கான முந்தைய ஆய்வுகளில், GaN வளர்ச்சியின் போது சபையர் அடி மூலக்கூறில் மைக்ரோகிராக் உருவாவதற்கான சான்றுகள் கண்டறியப்பட்டன. ஆனால் மேக்ரோகிராக்குகளின் உருவாக்கம் GaN மேற்பரப்பு வரை பரவுவது வெப்பப் பொருத்தமின்மையால் மட்டுமே தோன்றியதாகக் கருதப்பட்டது. பின்னர், சபையரில் GaN அடுக்குகள் 100 மிமீக்கு மேல் வளர்ந்தபோது, ​​சபையரில் GaN டெம்ப்ளேட்டிற்கு திறமையான தளர்வு செயல்முறை இருப்பது கண்டறியப்பட்டது. கிராக் இல்லாத GaN-on-sapphire டெம்ப்ளேட்டின் வளர்ச்சி 2 அங்குல விட்டம் கொண்டதாக நிரூபிக்கப்பட்டுள்ளது. ஆரம்ப அணுக்கருவின் போது உருவாகும் இழுவிசை திரிபு காரணமாக GaN/sapphire வார்ப்புருவின் வளர்ச்சியின் போது பொதுவாக விரிசல்கள் உருவாகின்றன என்பது கண்டறியப்பட்டுள்ளது. சபையர் வார்ப்புருவில் GaN இல் இந்த ஆரம்ப விரிசல் உருவாக்கம் பாதகமான விளைவுகளை ஏற்படுத்தலாம்; சபையர் அடி மூலக்கூறில் உள்ள மைக்ரோகிராக்குகள், குளிர்ச்சியின் போது அடுக்குகள் மற்றும் அடி மூலக்கூறின் வெப்ப விரிவாக்கத்தின் வெவ்வேறு குணகங்களின் காரணமாக அதிகரித்த அழுத்தத்தை நீக்குவதற்கான ஆரம்ப முறிவு புள்ளிகளாக செயல்படலாம். வளர்ச்சியின் போது விரிசல் குணமடைய வழிவகுக்கும் வளர்ச்சி நிலைமைகளைக் கண்டறிந்தாலும் அது உண்மைதான். சபையர் மேற்பரப்பில் வளர்ந்த GaN படங்களின் பரவலானது அத்தகைய விரிசல்களைக் குணப்படுத்துவதற்கான ஒரு முக்கிய அளவுருவாகக் கருதப்படுகிறது.

உங்கள் வண்டியில் சேர்க்கப்பட்டது:
வெளியேறுதல்