GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
Safir substrat üzerinde GaN için daha önceki çalışmalarda, GaN büyümesi sırasında safir substratta mikro çatlak oluşumunun kanıtı bulundu. Ancak GaN yüzeyine uzanan makro çatlakların oluşumunun sadece termal uyumsuzluktan kaynaklandığı düşünülüyordu. Daha sonra, safir üzerindeki GaN katmanları 100 mm'nin üzerine çıktığında, safir üzerindeki GaN şablonu için verimli bir gevşeme sürecinin olduğu bulundu. Çapı 2 inç'e yaklaşan safir üzerinde çatlaksız GaN şablonunun büyümesi kanıtlanmıştır. Erken çekirdeklenme sırasında oluşan gerilme gerilimi nedeniyle GaN/safir şablonunun büyümesi sırasında çatlakların genellikle zaten oluştuğu bulunmuştur. Safir şablon üzerinde GaN üzerinde bu erken çatlak oluşumunun olumsuz etkileri olabilir; safir alt tabakadaki mikro çatlaklar, soğutma sırasında tabakaların ve alt tabakanın farklı termal genleşme katsayıları nedeniyle artan gerilimi hafifletmek için müteakip ilk kırılma noktaları olarak hareket edebilir. Büyüme sırasında çatlak iyileşmesine yol açan büyüme koşulları bulunsa bile, bu doğrudur. Safir yüzey üzerinde büyütülen GaN filmlerinin yayılımı, bu tür çatlakların iyileşmesi için önemli bir parametre olarak kabul edilir.
