Hakkımızda

Who Are Ganwafer?

Ganwafer, yarı iletken kristal büyümesini, süreç geliştirmeyi ve epitaksiyi entegre eden bileşik yarı iletken malzeme için birinci sınıf bir kuruluştur. SiC&GaN malzemesi (SiC gofret ve epitaksi, GaN gofret ve epi gofret) ve III-V malzeme (III-V substrat ve epi hizmeti: InP gofret, GaSb gofret, GaAs gofret) gibi bileşik yarı iletken gofretlerin araştırılması ve üretiminde uzmanız. InAs gofret ve InSb gofret).

Önde gelen bir araştırma ve üretim şirketi olarak, kendimizi 1990'dan itibaren CZ silikon gofret ve külçe araştırmaya ve oluşturmaya ve >1000 ohm.cm ile FZ silikon gofret geliştirmeye adadık. 2” den 12” ye kadar gofret ebatlarını prime ve test kalitesi ile teslim edebiliyoruz.

Semiconductor wafers from Ganwafer are used in various applications. They are hugely used in LED semiconductor lighting, wireless communication, solar power, infrared device, laser, detectors, and semiconductor power devices, including power devices, high-temperature devices, and photoelectric devices, therein, GaN wafer including GaN on Si, GaN on SiC, and GaN on Sapphire are for Mini/micro LED, power electronics and microwave RF.

Why Ganwafer?

gücümüz

Önde gelen ünlü baş bilim adamlarından oluşan güçlü bir teknik Ar-Ge ekibinden oluşan uzman bir ekibe ve güçlü bir Ar-Ge gücüne sahibiz. Beklenen ürünleri etkin bir şekilde üretmek için en iyi gofret dökümhanesine sahibiz. Uzmanlarımız, yeni ürün türlerinin geliştirilmesine yardımcı olan pazar trendine göre en son malzeme ve cihazlar hakkında mükemmel bir anlayışa sahiptir. Mevcut ürünün kalitesini sürekli iyileştirmeyi hedefliyoruz.

Kaliteli Ürün

Ganwafer has been ISO9001:2015, owns and shares four modern foundries that able to deliver a range of industry-standard products with utmost quality. We ensure that our produced advanced wafer will meet clients’ needs, specifications, and budgets. We have been operating in this industry for many years that makes us stand out from the market. Each process of wafer manufacturing will be handled through our severe quality system. You can expect test reports for each shipment and each wafer are warranty.

25+ yaşında Deneyimler

Malzemelerin fiziksel, kimyasal ve elektriksel özellikleri, malzeme hazırlama prosedürü hakkında özenli araştırmaların yanı sıra malzeme hazırlama ve ilgili ekipman tasarımı ve geliştirme konusunda zengin bir deneyime sahibiz. Bilimsel ve teknolojik personelin geniş teorik birikimi ve pratik deneyimi şirketimizin temel gücüdür.

İlgili malzeme ve ekipmanın genişletilmesinde yılların deneyimi, daha iyi ürün kalitesi ve performansını garanti eder. Ekipman tasarım şemamız, kullanıcıların gerçek teknik ve teknolojik gereksinimlerini karşılayabilir. Zengin malzeme geliştirme tarihimiz, şirketimizi piyasadan farklı kılıyor ve çok çeşitli bileşik yarı iletken türleri konusunda endüstri lideri bir otorite olarak bu sektörde bir referans noktası oluşturuyor.

Üstün kalite

Kaliteden ödün vermeden endüstri standardına uygun en kaliteli ürünleri sunmak en büyük önceliğimizdir. Üstün müşteri hizmeti sağlıyoruz. Satış temsilcilerimiz sorularınızı giderecek ve distribütörler sorunsuz gümrük ve nakliye prosedürleri sağlayacaktır. Siz değerli müşterilerimiz ürünlerini sorunsuz bir şekilde satın alabilirler. Müşteriler, bütçeleri dahilinde uygun fiyatlı bir anlaşma alacak ve paralarının karşılığını en iyi şekilde alacaklardır.

İyi Satış Servis

Gereksinimlerin ve özelliklerin farklı müşterilerle değişeceğini ve ayrıca proje boyutunun değişeceğini anlıyoruz. Hiç rahatsız etmeyin! Sana yardım etmek için burdayız. Tüm gereksinimlerinizi karşılayacak kadar yetenekliyiz. Müşteriler, uzman satış ekibimize danışmak istedikleri her şeyi sormakta özgürdürler. Her müşteri, endüstri standardı ürünler ve üstün müşteri hizmetleri için sürdürülebilir ve karlı büyüme sağlarız.

Tarihimiz

Ticari CdZnTe (CZT) gofret, radyasyonu elektrona etkili bir şekilde dönüştürmeyi sağlayan yeni bir yarı iletken olan seri üretimdedir, esas olarak kızılötesi ince film epitaksi substratı, X-ışını ve γ-ışını algılama, lazer optik modülasyonunda kullanılır. , yüksek performanslı güneş pilleri ve diğer yüksek teknoloji alanları.

Ganwafer has established the manufacturing technology for GaN epitaxy on Sapphire and freestanding GaN single crystal wafer substrate which is for UHB-LED and LD. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology,Our GaN wafer has low defect density and less or free macro defect density.

Ganwafer develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer.We has used advanced crystal growth technology,vertical gradient freeze (VGF) and GaAs wafer processing technology,established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafer include 2~6 inch ingot/wafers for LED,LD and Microelectronics applications.Thanks to its mastery of molecular beam epitaxy technology (MBE) and Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD),the company can offer world class epitaxial compound semiconductor wafers for microwaves and RF applications.

Ganwafer has developed SiC crystal growth technology and SiC wafer processing technology, established a production line to manufacturer SiC substrate of polytype 4H and 6H in different quality grades for researcher and industry manufacturers,Which is applied in GaN epitaxy device,power devices, high-temperature device and optoelectronic Devices.As a professional company invested by the leading manufacturers from the fields of advanced and high-tech material research and state institutes and China’s Semiconductor Lab,we are devoted to continuously improve the quality of currently substates and develop large size substrates, as well as epitaxial technology.

Ganwafer has established production line of semiconductor materials – Ge(Germanium) Single Crystals and Wafers.

Ganwafer founded. Ganwafer develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and semiconductor devices.