Silikon Gofretlerde İnce Film Biriktirme ve Metalizasyon

Silikon Gofretlerde İnce Film Biriktirme ve Metalizasyon

Ganwafer, a metal deposition manufacturing company, offers metal film deposition services on silicon by various metal thin film deposition techniques, such as evaporating, sputtering, LPCVD, ALD and etc. All the metal deposition on silicon wafer is supplied at different stress level with high thickness uniformity. The metal deposition process forms contacts in doped area between the semiconductor and conducting path. For our metal deposition service, we use metal and ITO (indium tin oxides) material to prepare electrodes for silicon substrate, and use non-metallic materials to grow sacrificial and insulating dielectric layers on silicon substrate.

Tanım

Metal biriktirme işlemi sırasında, entegre mikro elektronik cihazlar için çok önemli olan ve takip edilmesi gereken birkaç gereklilik vardır:

Metalin saflığı yeterince yüksek olmalıdır;

Yığılmış katmanları entegre etmek mümkündür;

Akım taşıma kapasitesi yüksek olmalıdır;

Metal ve yarı iletken arasındaki temas direnci düşük olmalıdır;

Metalleştirme işlemi basit olmalıdır;

Metalizasyon malzemesi korozyona dayanıklı ve uzun ömürlü olmalıdır;

Biriktirme malzemesi, silikon oksitler üzerinde mükemmel yapışma olmalıdır.

Örnek olarak biriktirme metal silikon gofretimizin aşağıdaki teknik parametrelerini alın:

1. Yarı İletken Üzerinde Metal Biriktirmenin Teknik Parametreleri

4″ Si Yüzey + SiO2 + TiO2 + Pt
madde Parametreler
Malzeme Monokristal Silikon
sınıf birinci sınıf
Büyüme Yöntemi CZ
Çap 100.0±0.3mm, 4″ 100 ±0,3 mm, 4"
İletkenlik tipi N tipi N tipi
takviyenin Fosfor Katkısız
Oryantasyon <100>±0.5° [111]±0.5°
Kalınlığı 300±25μm (Toplam Kalınlık) 525±25μm
özdirenç 1-10Ωcm n / a
Birincil Daire YARI STD Daireler YARI STD Daireler
İkincil Düz YARI STD Daireler YARI STD Daireler
Yüzey Bir Tarafı Cilalı
Kenar Yuvarlatılmış YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar
Si Sub/SiO2/TiO2/Pt Toplam Kalınlık 300μm
Si Yüzey Kalınlığı 289μm
1. Orta Katman SiO2 Kalınlığı 10.000 Angstrom
2. Orta Katman Ti Kalınlığı 500 Angstrom
Üst Katman Pt 5000 Angström
Si Yüzey Kalınlığı 525μm
1. Orta Katman SiO2 Kalınlığı 300 Angstrom
2. Orta Katman Ti Kalınlığı 20 Angstrom
Üst Katman Pt Angström
Parçacık YARI STD
TTV <10um
Yay / Çözgü <30um
TIR <5µm
Oksijen içeriği <2E16/cm3
Karbon İçeriği <2E16/cm3
OISF <50/cm²
STIR (15x15mm) <1.5µm
MM Ömrü N / A
Yüzey Metal Kirliliği
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
≤5E10 atom/cm2
Çıkığı Yoğunluk YARI STD
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme Hepsi yok
Lazer Mark YARI STD

 

2. Metal Biriktirme Teknikleri

2.1 Atmosfer Basıncı CVD (APCVD)

APCVD, katkılı veya katkısız oksit birikimi için CVD yöntemlerinden biridir. İşlemdeki düşük sıcaklık nedeniyle, düşük yoğunluk ve orta düzeyde birikmiş oksit kaplaması elde edilecektir. Metal biriktirme substratının yüksek çıktısı, APCVD işleminin büyük avantajıdır.

2.2 Düşük Basınçlı CVD (LPCVD)

LPCVD yönteminde vakum kullanılır. Silisyum nitrür (Si3N4), silikon oksinitrür (SiON), silikon dioksit (SiO2) ve tungsten ince film bu yöntemle silikon substrat üzerine biriktirilebilir ve yüksek uygunlukta metalize gofret elde edilir.

2.3 Atomik Katman Biriktirme (ALD)

ALD, Si substratı üzerinde metalik ince filmlerin biriktirilmesi için geliştirilmiş bir CVD işlemidir. ALD kullanmak, 3B yapıları çok düzgün bir şekilde yerleştirebilir. Hem yalıtkan hem de iletken filmler farklı substratlar (yarı iletkenler, polimerler, vb.) üzerinde büyütülebilir.

    sepetinize eklendi:
    Çıkış