O nás

Who Are Ganwafer?

Ganwafer je špičkový podnik pro složený polovodičový materiál integrující růst polovodičových krystalů, vývoj procesů a epitaxi. Specializujeme se na výzkum a výrobu složených polovodičových waferů, jako je materiál SiC&GaN (SiC wafer a epitaxe, GaN wafer a epi wafer) a III-V materiál (III-V substrát a epi služba: InP wafer, GaSb wafer, GaAs wafer, InAs wafer a InSb wafer).

Jako přední výzkumná a výrobní společnost se věnujeme výzkumu a výrobě křemíkových destiček a ingotů CZ od roku 1990 a vývoji křemíkových destiček FZ s >1000 ohm.cm. Jsme schopni dodat velikosti plátků od 2” do 12” s prvotřídním a zkušebním stupněm.

Semiconductor wafers from Ganwafer are used in various applications. They are hugely used in LED semiconductor lighting, wireless communication, solar power, infrared device, laser, detectors, and semiconductor power devices, including power devices, high-temperature devices, and photoelectric devices, therein, GaN wafer including GaN on Si, GaN on SiC, and GaN on Sapphire are for Mini/micro LED, power electronics and microwave RF.

Why Ganwafer?

Naše síla

Máme expertní tým silného technického týmu pro výzkum a vývoj, který vedou slavní hlavní vědci, a máme silnou sílu výzkumu a vývoje. Máme špičkovou slévárnu plátků, abychom efektivně produkovali očekávané produkty. Naši odborníci dobře rozumí nejnovějším materiálům a zařízením podle trendu na trhu, což pomáhá vyvíjet nové typy produktů. Naším cílem je neustálé zlepšování kvality stávajících produktů.

Kvalitní výrobek

Ganwafer has been ISO9001:2015, owns and shares four modern foundries that able to deliver a range of industry-standard products with utmost quality. We ensure that our produced advanced wafer will meet clients’ needs, specifications, and budgets. We have been operating in this industry for many years that makes us stand out from the market. Each process of wafer manufacturing will be handled through our severe quality system. You can expect test reports for each shipment and each wafer are warranty.

25 a více let zkušeností

Máme bohaté zkušenosti s přípravou materiálů a souvisejícím návrhem a vývojem zařízení, stejně jako pečlivým výzkumem fyzikálních, chemických a elektrických vlastností materiálů a postupů přípravy materiálů. Rozsáhlé teoretické znalosti a praktické zkušenosti vědeckých a technologických pracovníků jsou hlavní silou naší společnosti.

Dlouholeté zkušenosti v oblasti rozšiřování příslušných materiálů a zařízení zaručují lepší kvalitu a výkon produktů. Naše konstrukční schéma zařízení může splňovat skutečné technické a technologické požadavky uživatelů. Díky naší bohaté historii vývoje materiálů se naše společnost odlišuje od trhu a nastavuje měřítko v tomto odvětví jako přední autorita v oblasti rozmanitých typů sloučenin polovodičů.

Špičková kvalita

Naší nejvyšší prioritou je poskytovat produkty nejvyšší kvality podle průmyslového standardu bez kompromisů v kvalitě. Zajišťujeme špičkový zákaznický servis. Naši obchodní zástupci vyřeší vaše dotazy a distributoři zajistí hladké celní a přepravní postupy. Naši vážení zákazníci mohou snadno nakupovat jejich produkty bez jakýchkoli potíží. Zákazníci obdrží cenově dostupnou nabídku v rámci svého rozpočtového rozsahu a dostanou za své peníze nejlepší hodnotu.

Good Sales Service

Chápeme, že požadavky a specifikace se budou u různých klientů lišit a také se bude lišit velikost projektu. Vůbec se neobtěžujte! Jsme tu, abychom vám pomohli. Jsme dostatečně schopni splnit všechny vaše požadavky. Zákazníci mohou klást své dotazy na cokoliv, co chtějí konzultovat s naším odborným prodejním týmem. Zajišťujeme trvalý a ziskový růst pro každého zákazníka, standardní produkty a špičkové služby zákazníkům.

Naše historie

Komerční CdZnTe (CZT) wafer jsou v sériové výrobě, což je nový polovodič, který umožňuje efektivně převádět záření na elektron, používá se hlavně v infračerveném tenkovrstvém epitaxním substrátu, detekce rentgenového a γ záření, laserová optická modulace , vysoce výkonné solární články a další high-tech obory.

Ganwafer has established the manufacturing technology for GaN epitaxy on Sapphire and freestanding GaN single crystal wafer substrate which is for UHB-LED and LD. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology,Our GaN wafer has low defect density and less or free macro defect density.

Ganwafer develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer.We has used advanced crystal growth technology,vertical gradient freeze (VGF) and GaAs wafer processing technology,established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafer include 2~6 inch ingot/wafers for LED,LD and Microelectronics applications.Thanks to its mastery of molecular beam epitaxy technology (MBE) and Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD),the company can offer world class epitaxial compound semiconductor wafers for microwaves and RF applications.

Ganwafer has developed SiC crystal growth technology and SiC wafer processing technology, established a production line to manufacturer SiC substrate of polytype 4H and 6H in different quality grades for researcher and industry manufacturers,Which is applied in GaN epitaxy device,power devices, high-temperature device and optoelectronic Devices.As a professional company invested by the leading manufacturers from the fields of advanced and high-tech material research and state institutes and China’s Semiconductor Lab,we are devoted to continuously improve the quality of currently substates and develop large size substrates, as well as epitaxial technology.

Ganwafer has established production line of semiconductor materials – Ge(Germanium) Single Crystals and Wafers.

Ganwafer founded. Ganwafer develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and semiconductor devices.