Om os

Who Are Ganwafer?

Ganwafer er en førsteklasses virksomhed for sammensat halvledermateriale, der integrerer halvlederkrystalvækst, procesudvikling og epitaksi. Vi er specialiseret i forskning og produktion af sammensatte halvlederwafere såsom SiC&GaN-materiale (SiC-wafer og epitaksi, GaN-wafer og epi-wafer) og III-V-materiale (III-V-substrat og epi-service: InP-wafer, GaSb-wafer, GaAs-wafer, InAs wafer og InSb wafer).

Som en førende forsknings- og produktionsvirksomhed er vi dedikeret til at forske og skabe CZ silicium wafer og ingot fra 1990 og udvikle FZ silicium wafer med >1000 ohm.cm. Vi kan levere waferstørrelser fra 2" til 12" med prime grade og test grade.

Semiconductor wafers from Ganwafer are used in various applications. They are hugely used in LED semiconductor lighting, wireless communication, solar power, infrared device, laser, detectors, and semiconductor power devices, including power devices, high-temperature devices, and photoelectric devices, therein, GaN wafer including GaN on Si, GaN on SiC, and GaN on Sapphire are for Mini/micro LED, power electronics and microwave RF.

Why Ganwafer?

Vores styrke

Vi har et eksperthold bestående af et stærkt teknisk R&D-team, der ledes af berømte chefforskere, og har en stærk F&U-styrke. Vi har det bedste waferstøberi til at producere forventede produkter effektivt. Vores eksperter har en stor forståelse for de nyeste materialer og enheder i henhold til markedstendensen, der hjælper med at udvikle nye produkttyper. Vi sigter mod konstant at forbedre kvaliteten af ​​eksisterende produkter.

Kvalitetsprodukt

Ganwafer has been ISO9001:2015, owns and shares four modern foundries that able to deliver a range of industry-standard products with utmost quality. We ensure that our produced advanced wafer will meet clients’ needs, specifications, and budgets. We have been operating in this industry for many years that makes us stand out from the market. Each process of wafer manufacturing will be handled through our severe quality system. You can expect test reports for each shipment and each wafer are warranty.

25+ års erfaringer

Vi har et væld af erfaring i materialeforberedelse og relateret udstyrsdesign og udvikling samt omhyggelig forskning i materialers fysiske, kemiske og elektriske egenskaber, materialeforberedelsesprocedure. Den store viden om teoretisk deponering og praktisk erfaring hos videnskabeligt og teknologisk personale er kernen i vores virksomhed.

De mange års ekspertise i udvidelsen af ​​relevante materialer og udstyr garanterer bedre produktkvalitet og ydeevne. Vores udstyrsdesignskema kan opfylde brugernes faktiske tekniske og teknologiske krav. Vores rige historie med materialeudvikling gør, at vores virksomhed skiller sig ud fra markedet og sætter et benchmark i denne industri som en brancheførende autoritet inden for en bred vifte af sammensatte halvledertyper.

Overlegen kvalitet

At levere produkter af høj kvalitet i henhold til industristandarden uden at gå på kompromis med kvaliteten er vores højeste prioritet. Vi sikrer overlegen kundeservice. Vores salgsrepræsentanter vil klare dine forespørgsler, og distributører sikrer glatte told- og forsendelsesprocedurer. Vores værdsatte kunder kan nemt købe deres produkter uden besvær. Kunder vil modtage en overkommelig aftale inden for deres budgetinterval og vil få den bedste værdi for pengene.

God serviceafdelingen

Vi forstår, at kravene og specifikationerne vil variere med forskellige kunder, og også projektstørrelsen vil variere. Gør det overhovedet ikke! Vi er her for at hjælpe dig. Vi er dygtige nok til at opfylde alle dine krav. Kunder kan frit stille deres forespørgsler, hvad end de ønsker at rådføre sig med vores ekspert salgsteam. Vi sikrer vedvarende og rentabel vækst for hver kunde, industristandardprodukter og overlegen kundeservice.

Vores historie

Kommerciel CdZnTe (CZT) wafer er i masseproduktion, hvilket er en ny halvleder, som gør det muligt at konvertere stråling til elektron effektivt, det bruges hovedsageligt i infrarødt tyndfilm epitaksisubstrat, røntgen- og γ-stråledetektion, laseroptisk modulering , højtydende solceller og andre højteknologiske områder.

Ganwafer has established the manufacturing technology for GaN epitaxy on Sapphire and freestanding GaN single crystal wafer substrate which is for UHB-LED and LD. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology,Our GaN wafer has low defect density and less or free macro defect density.

Ganwafer develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer.We has used advanced crystal growth technology,vertical gradient freeze (VGF) and GaAs wafer processing technology,established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafer include 2~6 inch ingot/wafers for LED,LD and Microelectronics applications.Thanks to its mastery of molecular beam epitaxy technology (MBE) and Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD),the company can offer world class epitaxial compound semiconductor wafers for microwaves and RF applications.

Ganwafer has developed SiC crystal growth technology and SiC wafer processing technology, established a production line to manufacturer SiC substrate of polytype 4H and 6H in different quality grades for researcher and industry manufacturers,Which is applied in GaN epitaxy device,power devices, high-temperature device and optoelectronic Devices.As a professional company invested by the leading manufacturers from the fields of advanced and high-tech material research and state institutes and China’s Semiconductor Lab,we are devoted to continuously improve the quality of currently substates and develop large size substrates, as well as epitaxial technology.

Ganwafer has established production line of semiconductor materials – Ge(Germanium) Single Crystals and Wafers.

Ganwafer founded. Ganwafer develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and semiconductor devices.