N Tipi Bağımsız GaN Yüzey

N Tipi Bağımsız GaN Yüzey

Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:

Tanım

1. N Tipi GaN Bağımsız Alt Tabakanın Spesifikasyonu

1.1 4" N-Tipi - Katkılı GaN Serbest Duran Yüzey

madde GANW-FS-GaN100-N+
iletim tipi N tipi / Si katkılı
Boyutu 4 "(100) +/- 1 mm
Kalınlığı 480 +/- 50
Oryantasyon C ekseni (0001) +/- 0.5 °
İlköğretim Dairesi Yer (10-10)+/-0,5°
İlköğretim Düz Uzunluğu 32 +/- 1 mm
İkincil Dairesi Yer (1-210)+/-3°
İkincil Düz Uzunluğu 16 +/- 1 mm
Direnç (300K) <0.05Ω · cm
Çıkığı Yoğunluk <5×10^6cm-2
FWHM <= 100arc.sec
TTV <= 30um
YAY <= + / - 30um
Yüzey Ön Yüzey: Ra <= 0.3nm.Epi hazır cilalı
- Arka Yüzey: 1. İnce zemin
- 2. cilalı
kullanılabilir Alan ≥% 90

 

1.2 4″ Katkısız GaN, N Tipi

madde GANW-FS-GaN100-N-
iletim tipi N tipi / katkısız
Boyutu 4 "(100) +/- 1 mm
Kalınlığı 480 +/- 50
Oryantasyon C ekseni (0001) +/- 0.5 °
İlköğretim Dairesi Yer (10-10)+/-0,5°
İlköğretim Düz Uzunluğu 32 +/- 1 mm
İkincil Dairesi Yer (1-210)+/-3°
İkincil Düz Uzunluğu 16 +/- 1 mm
Direnç (300K) <0.5Ω · cm
Çıkığı Yoğunluk <5×10^6cm-2
FWHM <= 100arc.sec
TTV <= 30um
YAY <= + / - 30um
Yüzey Ön Yüzey: Ra <= 0.3nm.Epi hazır cilalı
- Arka Yüzey: 1. İnce zemin
- 2. cilalı
kullanılabilir Alan ≥% 90

 

1.3 2″ Si Katkılı GaN Film

madde GANW-FS-GaN50-N+
iletim tipi N tipi / Si katkılı
Boyutu 2 "(50.8) +/- 1 mm
Kalınlığı 400 +/- 50
Oryantasyon C ekseni (0001) +/- 0.5 °
İlköğretim Dairesi Yer (10-10)+/-0,5°
İlköğretim Düz Uzunluğu 16 +/- 1 mm
İkincil Dairesi Yer (1-210)+/-3°
İkincil Düz Uzunluğu 8 +/- 1 mm
Direnç (300K) <0.05Ω · cm
Çıkığı Yoğunluk <5×10^6cm-2
FWHM <= 100arc.sec
TTV <= 15um
YAY <= + / - 20um
Yüzey Ön Yüzey: Ra<=0.3nm. Epilasyona hazır cilalı
- Arka Yüzey: 1. İnce zemin
- 2. cilalı
kullanılabilir Alan ≥% 90

 

1.4 2″ Katkısız N Tipi GaN İnce Film

madde GANW-FS-GaN50-N-
iletim tipi N tipi / katkısız
Boyutu 2 "(50.8) +/- 1 mm
Kalınlığı 400 +/- 50
Oryantasyon C ekseni (0001) +/- 0.5 °
İlköğretim Dairesi Yer (10-10)+/-0,5°
İlköğretim Düz Uzunluğu 16 +/- 1 mm
İkincil Dairesi Yer (1-210)+/-3°
İkincil Düz Uzunluğu 8 +/- 1 mm
Direnç (300K) <0.5Ω · cm
Çıkığı Yoğunluk <5×10^6cm-2
FWHM <= 100arc.sec
TTV <= 15um
YAY <= + / - 20um
Yüzey Ön Yüzey: Ra<=0.3nm. Epilasyona hazır cilalı
- Arka Yüzey: 1. İnce zemin
- 2. cilalı
kullanılabilir Alan ≥% 90

 

2. GaN Substrat Uygulaması

Şu anda, GaN uygulamasına hala ordu hakimdir ve yavaş yavaş insansız araçlar, kablosuz iletişim baz istasyonları vb. gibi ticari alanlara doğru ilerlemeye başlamıştır. Beyaz ışıklı LED'lerde geniş uygulama beklentileri vardır, kısa- dalga boyu lazerler, ultraviyole dedektörler ve yüksek sıcaklık yüksek güçlü cihazlar. GaN substratlarının en büyük uygulaması (yarı yalıtkan / P tipi / N tipi GaN ince film gibi) şu anda esas olarak mavi lazer diyotlarının üretiminde kullanılan lazerlere aittir. Bu ürünler Blu-ray Disklerde ve HD-DVD'lerde temel bileşenler olarak kullanılmıştır. Ek olarak, ohmik temaslı GaN substrat üzerinde üretilen bu lazerler, projeksiyon ekranı, yüksek hassasiyetli baskı ve optik algılama alanları için de çok uygundur.

Ayrıca, optik dedektörlerde, başlıca alev algılama, ozon izleme, kirlilik izleme, kan analizi, cıva lambası dezenfeksiyon izleme, lazer dedektörler ve güneş kör bölge özellikleri gerektiren diğer uygulamaları içeren potansiyel GaN gofret pazarı vardır.

GaN substrat teknolojisinin kademeli olarak olgunlaşmasıyla, düşük maliyetli, yüksek kaliteli GaN substratlarının yarı iletken mikroelektronik cihazlar ve optoelektronik cihazlar alanlarında yaygın olarak kullanılması beklenebilir.

    sepetinize eklendi:
    Çıkış