Semipolar Bağımsız GaN Substrat

Semipolar Bağımsız GaN Substrat

LED'ler ve LD'ler dahil olmak üzere sarı ve hatta kırmızı emitörler gibi daha uzun dalga boylu cihazların büyümesi açısından, (11-22) yarı-polar GaN substratı, hala birçok büyük zorluk olmasına rağmen en umut verici malzeme olacaktır. Belki büyüme teknolojisi ve yapısal tasarım geliştirilerek bu sorunlar çözülebilir. Ayrıca (11-22) ile doğrudan düz safir üzerinde büyütülen semipolar GaN, bu teknolojinin ticari uygulaması için büyük bir avantaj olacaktır.

PAM-XIAMEN, sırasıyla (10-11) ve (11-22) yönelimli Si katkılı, katkısız ve yarı yalıtımlı olmak üzere Bağımsız Yarı Kutuplu GaN toplu Yüzey sunar. Semipolar GaN substratının detay özellikleri aşağıdaki gibidir:

Tanım

1. Si katkılı Semipolar (10-11) Bağımsız GaN Substrat

madde PAM-FS-GAN(10-11)-N
Boyut 5 x 10 mm2
Kalınlığı 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Oryantasyon (10-11) A eksenine doğru düzlem dışı açı 0 ±0.5°
(10-11) C eksenine doğru düzlem sapma açısı -1 ±0.2°
iletim tipi N-tipi
Direnç (300K) < 0.05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
YAY -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Yüzey Pürüzlülüğü Ön taraf: Ra<0.2nm, epi-hazır;
Arka taraf: İnce Zemin veya cilalı.
Çıkığı Yoğunluk 1 x 10 5 ila 5 x 10 6cm-2
Makro Hata Yoğunluğu 0 cm-2
Kullanılabilir Alan > %90 (kenar hariç tutma)
Paket her biri tek gofret kapta, nitrojen atmosferi altında, sınıf 100 temiz odada paketlenmiştir

 

2. Katkısız Semipolar (10-11) Kendinden Destekli GaN Substrat

madde PAM-FS-GAN(10-11)-U
Boyut 5 x 10 mm2
Kalınlığı 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Oryantasyon (10-11) A eksenine doğru düzlem dışı açı 0 ±0.5°
(10-11) C eksenine doğru düzlem sapma açısı -1 ±0.2°
iletim tipi N-tipi
Direnç (300K) < 0.1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
YAY -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Yüzey Pürüzlülüğü Ön taraf: Ra<0.2nm, epi-hazır;
Arka taraf: İnce Zemin veya cilalı.
Çıkığı Yoğunluk 1 x 10 5 ila 5 x 10 6cm-2
Makro Hata Yoğunluğu 0 cm-2
Kullanılabilir Alan > %90 (kenar hariç tutma)
Paket her biri tek gofret kapta, nitrojen atmosferi altında, sınıf 100 temiz odada paketlenmiştir

 

3. Yarı Yalıtımlı Bağımsız Yarı Kutuplu (10-11) GaN Substrat

madde PAM-FS-GAN(10-11)-SI
Boyut 5 x 10 mm2
Kalınlığı 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Oryantasyon (10-11) A eksenine doğru düzlem dışı açı 0 ±0.5°
(10-11) C eksenine doğru düzlem sapma açısı -1 ±0.2°
iletim tipi Yarı yalıtım
Direnç (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
YAY -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Yüzey Pürüzlülüğü Ön taraf: Ra<0.2nm, epi-hazır;
Arka taraf: İnce Zemin veya cilalı.
Çıkığı Yoğunluk 1 x 10 5 ila 5 x 10 6cm-2
Makro Hata Yoğunluğu 0 cm-2
Kullanılabilir Alan > %90 (kenar hariç tutma)
Paket her biri tek gofret kapta, nitrojen atmosferi altında, sınıf 100 temiz odada paketlenmiştir

 

4. Si katkılı Semipolar (11–22) Serbest Daimi GaN Substrat

madde PAM-FS-GAN(11-22)-N
Boyut 5 x 10 mm2
Kalınlığı 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Oryantasyon (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
iletim tipi N-tipi
Direnç (300K) < 0.05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
YAY -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Yüzey Pürüzlülüğü Ön taraf: Ra<0.2nm, epi-hazır;
Arka taraf: İnce Zemin veya cilalı.
Çıkığı Yoğunluk 1 x 10 5 ila 5 x 10 6cm-2
Makro Hata Yoğunluğu 0 cm-2
Kullanılabilir Alan > %90 (kenar hariç tutma)
Paket her biri tek gofret kapta, nitrojen atmosferi altında, sınıf 100 temiz odada paketlenmiştir

 

5. Katkısız Serbest Duran Semipolar (11-22) GaN Substrat

madde PAM-FS-GAN(11-22)- U
Boyut 5 x 10 mm2
Kalınlığı 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Oryantasyon (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
iletim tipi N-tipi
Direnç (300K) < 0.1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
YAY -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Yüzey Pürüzlülüğü Ön taraf: Ra<0.2nm, epi-hazır;
Arka taraf: İnce Zemin veya cilalı.
Çıkığı Yoğunluk 1 x 10 5 ila 5 x 10 6cm-2
Makro Hata Yoğunluğu 0 cm-2
Kullanılabilir Alan > %90 (kenar hariç tutma)
Paket her biri tek gofret kapta, nitrojen atmosferi altında, sınıf 100 temiz odada paketlenmiştir

6. Yarı Yalıtımlı Yarı Kutuplu (11-22) GaN Bağımsız Alt Tabaka

madde PAM-FS-GAN(11-22)-SI
Boyut 5 x 10 mm2
Kalınlığı 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Oryantasyon (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
iletim tipi Yarı yalıtım
Direnç (300K) > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
YAY -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Yüzey Pürüzlülüğü Ön taraf: Ra<0.2nm, epi-hazır;
Arka taraf: İnce Zemin veya cilalı.
Çıkığı Yoğunluk 1 x 10 5 ila 5 x 10 6cm-2
Makro Hata Yoğunluğu 0 cm-2
Kullanılabilir Alan > %90 (kenar hariç tutma)
Paket her biri tek gofret kapta, nitrojen atmosferi altında, sınıf 100 temiz odada paketlenmiştir

 

    sepetinize eklendi:
    Çıkış