Safir HEMT Gofret üzerinde GaN
Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.
Ve şimdi lütfen aşağıdaki GaN-on-Sapphire HEMT gofret özelliklerine bakın:
- Açıklama
- Sorgu
Tanım
1. Güç Uygulaması için HEMT Yapılı Safir Gofret üzerinde GaN
Gofret boyutu | 2”, 3”, 4”, 6” |
AlGaN / GaN HEMT yapısı | 1.2 bakınız |
Taşıyıcı yoğunluğu | 6E12~2E13 cm2 |
Salon hareketliliği | / |
XRD(102)FWHM | ~ark.sn |
XRD(002)FWHM | ~ark.sn |
Levha Direnci | / |
5x5um2 AFM RMS (nm) | <0.25nm |
Yay (um) | <=35um |
kenar dışlama | <2mm |
SiN pasivasyon katmanı | 0~30nm |
Al kompozisyonu | % 20-30 |
Kompozisyonda | InAlN için %17 |
GaN sınırı | / |
AlGaN/(In)AlN bariyeri | / |
AlN ara katmanı | / |
GaN kanalı | / |
C katkılı GaN tamponu | / |
çıplaklık | / |
Yüzey malzemesi | Safir alt-tabaka |
2. RF Uygulaması için Safir Yüzeyde GaN HEMT Yapısı
Gofret boyutu | 2”, 3”, 4”, 6” |
AlGaN / GaN HEMT yapısı | 1.2 bakınız |
Taşıyıcı yoğunluğu | 6E12~2E13 cm2 |
Salon hareketliliği | / |
XRD(102)FWHM | / |
XRD(002)FWHM | / |
Levha Direnci | / |
5x5um2 AFM RMS (nm) | <0.25nm |
Yay (um) | <=35um |
kenar dışlama | <2mm |
siN pasivasyon katmanı | 0~30nm |
u-GaN kapak katmanı | / |
Al kompozisyonu | % 20-30 |
Kompozisyonda | InAlN için %17 |
AlGaN bariyer tabakası | 20~30nm |
AlN ara parçası | / |
GaN arabellek katmanı(um) | / |
GaN kanalı | / |
Fe katkılı GaN tamponu | / |
çıplaklık | / |
Yüzey malzemesi | Safir alt-tabaka |
Açıklama:
Çin hükümeti, yarı iletken yongaları yapmak için kullanılan Galyum malzemelerinin (GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs ve GaSb gibi) ve Germanyum malzemelerinin ihracatına ilişkin yeni sınırlar duyurdu. 1 Ağustos 2023'ten itibaren, bu malzemelerin ihracatına yalnızca Çin Ticaret Bakanlığı'ndan lisans almamız halinde izin verilmektedir. Anlayışınız için umut!