GaN üzerinde GaN
GaN gofreti üzerindeki GaN (Galyum Nitrür), substrat ve epi katmanları arasındaki sıfır örgü uyumsuzluğu nedeniyle en iyi çözümdür. GaN / GaN filmindeki alt kusur, daha uzun cihaz dayanıklılığı sağlar. GaN-on-GaN gofretinin kafes ve termal genleşme katsayısı mükemmel şekilde uyumludur. Bu nedenle, çok kalın bir GaN katmanı epitaksiyel olarak toplu bir GaN substratı üzerinde büyütülebilir ve bu da yüksek kırılma voltajlı cihazların üretilmesini sağlar. GaN gofret üreticisi bir GaN olan Ganwafer, geniş bant aralıklı (WBG) yarı iletkenlerde GaN epi gofret üzerinde 2” ve 4” GaN sunuyor:
- Açıklama
- Sorgu
Tanım
1. N+ GaN Substratta N+ GaN Katmanları
| Madde 1 | Özellikler |
| GaN gofret | 100 mm veya 50,8 mm,N+ GaN Gofret |
| 1Epi büyüme | N+,10-15um, Nd: 1E15-1E16 |
2. N+ GaN Substratta N+/P+ GaN Katmanları
| Öğe 2 | Özellikler |
| GaN gofret | 100 mm veya 50,8 mm,N+ GaN Gofret |
| 1Epi büyüme | N+, 10-15um,Nd:1E15-1E16 |
| 2Epi büyüme | 0,5-2um, P tipi, Na:1E17-1E19 |
| 3Epi büyüme | 0.1um, P tipi, GaN, Na:-8E19 |
3. Yarı Yalıtımlı GaN Yüzeyinde N+GaN Katmanları
| madde 3 | Özellikler |
| GaN gofret | 100 mm veya 50,8 mm, Yarı Yalıtımlı GaN Gofret |
| 1Epi büyüme | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. GaN/GaN Gofret Dikey Teknolojisi
Dikey GaN teknolojisi, GaN'nin bir GaN substratı üzerinde homoepitaksiyel büyümesine dayandığından, GaN özelliklerinin tam kullanımını alır. Dikey GaN teknolojisinin belirgin özellikleri:
GaN substratı üzerindeki homoepitaksiyel büyüme, bu kesme açılarının en iyi spektrumlarını elde ederek en iyi morfoloji ve en iyi cihaz performansı ile sonuçlanır. Toplu GaN substratının esnek kullanımı, ultra düşük katkılı n-GaN üretebilir. Mg dopingini kontrol etmek, büyüme süreci sırasında pn bağlantılarını derecelendirmektir. Gerektiğinde keskin pn bağlantısı oluşturmak, son derece düşük yüzey pürüzlülüğü ile yüzey pürüzlülüğü için düzlemselleştirilmiş bir yeniden büyütme işlemidir. Dikey p GaN/n GaN durumunda, hem substrat hem de epitaksiyel katman, son derece düşük kusur yoğunluğuna sahip GaN'dir.
Açıklama:
Çin hükümeti, yarı iletken yongaları yapmak için kullanılan Galyum malzemelerinin (GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs ve GaSb gibi) ve Germanyum malzemelerinin ihracatına ilişkin yeni sınırlar duyurdu. 1 Ağustos 2023'ten itibaren, bu malzemelerin ihracatına yalnızca Çin Ticaret Bakanlığı'ndan lisans almamız halinde izin verilmektedir. Anlayışınız için umut!
