GaN üzerinde GaN

GaN üzerinde GaN

GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:

Tanım

1. N+ GaN Substratta N+ GaN Katmanları

Madde 1 Özellikler
GaN gofret 100 mm veya 50,8 mm,N+ GaN Gofret
1Epi büyüme N+,10-15um, Nd: 1E15-1E16

 

2. N+ GaN Substratta N+/P+ GaN Katmanları

Öğe 2 Özellikler
GaN gofret 100 mm veya 50,8 mm,N+ GaN Gofret
1Epi büyüme N+, 10-15um,Nd:1E15-1E16
2Epi büyüme 0,5-2um, P tipi, Na:1E17-1E19
3Epi büyüme 0.1um, P tipi, GaN, Na:-8E19

 

3. Yarı Yalıtımlı GaN Yüzeyinde N+GaN Katmanları

madde 3 Özellikler
GaN gofret 100 mm veya 50,8 mm, Yarı Yalıtımlı GaN Gofret
1Epi büyüme N+,10-15um,Nd:1E15-1E16

 

4. GaN/GaN Gofret Dikey Teknolojisi

Dikey GaN teknolojisi, GaN'nin bir GaN substratı üzerinde homoepitaksiyel büyümesine dayandığından, GaN özelliklerinin tam kullanımını alır. Dikey GaN teknolojisinin belirgin özellikleri:

GaN substratı üzerindeki homoepitaksiyel büyüme, bu kesme açılarının en iyi spektrumlarını elde ederek en iyi morfoloji ve en iyi cihaz performansı ile sonuçlanır. Toplu GaN substratının esnek kullanımı, ultra düşük katkılı n-GaN üretebilir. Mg dopingini kontrol etmek, büyüme süreci sırasında pn bağlantılarını derecelendirmektir. Gerektiğinde keskin pn bağlantısı oluşturmak, son derece düşük yüzey pürüzlülüğü ile yüzey pürüzlülüğü için düzlemselleştirilmiş bir yeniden büyütme işlemidir. Dikey p GaN/n GaN durumunda, hem substrat hem de epitaksiyel katman, son derece düşük kusur yoğunluğuna sahip GaN'dir.

    sepetinize eklendi:
    Çıkış