GaN auf GaN
GaN (Galliumnitrid) auf einem GaN-Wafer ist die beste Lösung, da es keine Gitterfehlanpassung zwischen Substrat und Epi-Schichten gibt. Der geringere Defekt im GaN/GaN-Film sorgt für eine längere Haltbarkeit des Geräts. Das Gitter und der Wärmeausdehnungskoeffizient des GaN-auf-GaN-Wafers sind perfekt aufeinander abgestimmt. Daher kann eine sehr dicke GaN-Schicht epitaktisch auf einem GaN-Volumensubstrat aufgewachsen werden, was die Herstellung von Bauelementen mit hoher Durchbruchspannung ermöglicht. Ganwafer, ein Hersteller von GaN-auf-GaN-Wafern, bietet 2-Zoll- und 4-Zoll-GaN-auf-GaN-Epi-Wafer in Halbleitern mit großer Bandlücke (WBG) an:
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. N+ GaN-Schichten auf N+ GaN-Substrat
| Gegenstand 1 | Technische Daten |
| GaN-Wafer | 100 mm oder 50,8 mm, N+ GaN-Wafer |
| 1Epi-Wachstum | N+, 10-15 um, Nd: 1E15-1E16 |
2. N+/P+ GaN-Schichten auf N+ GaN-Substrat
| Punkt 2 | Technische Daten |
| GaN-Wafer | 100 mm oder 50,8 mm, N+ GaN-Wafer |
| 1Epi-Wachstum | N+, 10-15 um, Nd: 1E15-1E16 |
| 2Epi-Wachstum | 0,5-2 um, P-Typ, Na: 1E17-1E19 |
| 3Epi-Wachstum | 0,1 um, P-Typ, GaN, Na:-8E19 |
3. N+GaN-Schichten auf halbisolierendem GaN-Substrat
| Punkt 3 | Technische Daten |
| GaN-Wafer | 100 mm oder 50,8 mm, halbisolierender GaN-Wafer |
| 1Epi-Wachstum | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. Vertikale Technologie von GaN/GaN-Wafern
Die vertikale GaN-Technologie nutzt die GaN-Eigenschaften voll aus, da sie auf dem homoepitaxialen Wachstum von GaN auf einem GaN-Substrat basiert. Die offensichtlichen Merkmale der vertikalen GaN-Technologie:
Das homoepitaxiale Wachstum auf einem GaN-Substrat erzielt die besten Spektren dieser Schnittwinkel, was zu der besten Morphologie und der besten Geräteleistung führt. Durch die flexible Verwendung von Bulk-GaN-Substraten kann ultraniedrig dotiertes n-GaN hergestellt werden. Die Steuerung der Mg-Dotierung besteht darin, pn-Übergänge während des Wachstumsprozesses zu gradieren. Das Erzeugen eines scharfen pn-Übergangs nach Bedarf ist ein planarisierter Nachwachsprozess für Oberflächenrauhigkeit mit extrem geringer Oberflächenrauhigkeit. Im Fall von vertikalem p-GaN/n-GaN sind sowohl das Substrat als auch die Epitaxieschicht GaN mit extrem niedriger Defektdichte.
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!
