GaN na GaN
GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:
- Popis
- Poptávka
Popis
1. Vrstvy N+ GaN na substrátu N+ GaN
| Položka 1 | Specifikace |
| GaN plátek | 100 mm nebo 50,8 mm, N+ GaN plátek |
| 1Epi růst | N+, 10-15 um, Nd: 1E15-1E16 |
2. Vrstvy N+/P+ GaN na substrátu N+ GaN
| Položka 2 | Specifikace |
| GaN plátek | 100 mm nebo 50,8 mm, N+ GaN plátek |
| 1Epi růst | N+, 10-15 um, Nd: 1E15-1E16 |
| 2Epi růst | 0,5-2um, typ P, Na:1E17-1E19 |
| 3Epi růst | 0,1 um, typ P, GaN, Na:-8E19 |
3. Vrstvy N+GaN na poloizolačním GaN substrátu
| Položka 3 | Specifikace |
| GaN plátek | 100 mm nebo 50,8 mm, poloizolační GaN Wafer |
| 1Epi růst | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. Vertikální technologie GaN/GaN waferu
Vertikální technologie GaN plně využívá vlastnosti GaN, protože je založena na homoepitaxním růstu GaN na substrátu GaN. Zjevné rysy vertikální technologie GaN:
Homoepitaxní růst na GaN substrátu získává nejlepší spektra těchto řezných úhlů, což má za následek nejlepší morfologii a nejlepší výkon zařízení. Flexibilní použití hromadného substrátu GaN z může produkovat ultra-nízce dopovaný n-GaN. Kontrola Mg dopingu spočívá ve třídění pn spojů během procesu růstu. Generování ostrého pn spojení podle potřeby je proces planarizovaného opětovného růstu pro drsnost povrchu s extrémně nízkou drsností povrchu. V případě vertikálního p GaN/n GaN je substrát i epitaxní vrstva GaN s extrémně nízkou hustotou defektů.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
