GaN na GaN
GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:
- Opis
- Zapytanie
Opis
1. Warstwy N+ GaN na podłożu N+ GaN
| Przedmiot 1 | Dane techniczne |
| wafel GaN | 100 mm lub 50,8 mm, wafel N+ GaN |
| 1Epi wzrost | N+,10-15um, Nd: 1E15-1E16 |
2. Warstwy N+/P+ GaN na podłożu N+ GaN
| Pozycja 2 | Dane techniczne |
| wafel GaN | 100 mm lub 50,8 mm, wafel N+ GaN |
| 1Epi wzrost | N+, 10-15um,Nd:1E15-1E16 |
| 2Epi wzrost | 0,5-2um, typ P, Na:1E17-1E19 |
| 3Epi wzrost | 0,1um, typ P, GaN, Na:-8E19 |
3. Warstwy N+GaN na półizolacyjnym podłożu GaN
| Pozycja 3 | Dane techniczne |
| wafel GaN | 100 mm lub 50,8 mm, półizolujący wafel GaN |
| 1Epi wzrost | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. Technologia pionowa płytek GaN/GaN
Technologia Vertical GaN w pełni wykorzystuje właściwości GaN, ponieważ opiera się na homoepitaksjalnym wzroście GaN na podłożu GaN. Oczywiste cechy pionowej technologii GaN:
Homoepitaksjalny wzrost na podłożu GaN pozwala uzyskać najlepsze widma tych kątów wcięcia, co skutkuje najlepszą morfologią i najlepszą wydajnością urządzenia. Elastyczne zastosowanie masowego substratu GaN z może wytworzyć n-GaN o bardzo niskiej domieszce. Kontrolowanie domieszkowania Mg polega na stopniowaniu połączeń pn podczas procesu wzrostu. Generowanie ostrego złącza pn w razie potrzeby jest planarnym procesem odrastania chropowatości powierzchni o wyjątkowo małej chropowatości powierzchni. W przypadku pionowego p GaN/n GaN, zarówno podłoże, jak i warstwa epitaksjalna są GaN o wyjątkowo niskiej gęstości defektów.
Uwaga:
Chiński rząd ogłosił nowe ograniczenia eksportu materiałów galu (takich jak GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs i GaSb) oraz materiałów germanu używanych do produkcji układów półprzewodnikowych. Od 1 sierpnia 2023 r. eksport tych materiałów jest dozwolony tylko po uzyskaniu licencji chińskiego Ministerstwa Handlu. Liczę na twoje zrozumienie!
