GaN sur GaN
GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:
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Description
1. Couches N+ GaN sur substrat N+ GaN
| Objet 1 | Caractéristiques |
| plaquette de GaN | 100 mm ou 50,8 mm, tranche de GaN N+ |
| 1Epi croissance | N+, 10-15um, Nd : 1E15-1E16 |
2. Couches GaN N+/P+ sur substrat GaN N+
| Article 2 | Caractéristiques |
| plaquette de GaN | 100 mm ou 50,8 mm, tranche de GaN N+ |
| 1Epi croissance | N+, 10-15um, Nd : 1E15-1E16 |
| Croissance 2Epi | 0.5-2um, type P, Na:1E17-1E19 |
| Croissance 3Epi | 0.1um, type P, GaN, Na:-8E19 |
3. Couches N+GaN sur substrat GaN semi-isolant
| Point 3 | Caractéristiques |
| plaquette de GaN | 100 mm ou 50,8 mm, tranche de GaN semi-isolante |
| 1Epi croissance | N+, 10-15um, Nd : 1E15-1E16 |
4. Technologie verticale de GaN/GaN Wafer
La technologie GaN verticale utilise pleinement les propriétés du GaN car elle est basée sur la croissance homoépitaxiale de GaN sur un substrat de GaN. Les caractéristiques évidentes de la technologie GaN verticale :
La croissance homoépitaxiale sur substrat GaN permet d'obtenir les meilleurs spectres de ces angles de coupure, ce qui se traduit par la meilleure morphologie et les meilleures performances du dispositif. L'utilisation flexible du substrat de GaN massif peut produire du n-GaN ultra-faiblement dopé. Le contrôle du dopage Mg consiste à classer les jonctions pn pendant le processus de croissance. La génération d'une jonction pn nette selon les besoins est un processus de repousse planarisé pour la rugosité de surface avec une rugosité de surface extrêmement faible. Dans le cas de p GaN/n GaN vertical, à la fois le substrat et la couche épitaxiale sont en GaN avec une densité de défauts extrêmement faible.
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!
