Substrat GaN autoportant M Face
Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:
- La description
- Demande
Description
1. Substrat GaN Bulk M-Plane dopé Si
| Article | GANW-FS-GAN M-N |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | Plan M (1-100) hors angle vers l'axe A 0 ±0,5° |
| Plan M (1-100) hors angle vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | A partir de 1 x 105à 5 x 106cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
2. Substrat de GaN autoportant M-Face non dopé
| Article | GANW-FS-GAN M-U |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | Plan M (1-100) hors angle vers l'axe A 0 ±0,5° |
| Plan M (1-100) hors angle vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | A partir de 1 x 105à 5 x 106cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
3. Substrat GaN autoportant semi-isolant à plan M
| Article | GANW-FS-GAN M-SI |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | Plan M (1-100) hors angle vers l'axe A 0 ±0,5° |
| Plan M (1-100) hors angle vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | Semi-isolant |
| Résistivité (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | A partir de 1 x 105 à 5 x 106cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!
