LED Epi sur Saphir
GaN LED epitaxy wafer is offered by LED Epi on Sapphire Manufacturer – Ganwafer for LED and laser diodes (LD) application, such as for micro LED or UV LED researches. Epitaxy wafer for LED is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
- La description
- Demande
Description
GaN sur Al2O3 - Spécification de plaquette épi de 2 pouces (plaquette épitaxiale LED):
UV : 365+/-5nm
UV : 405+/-5nm
Blanc : 445-460 nm
Bleu : 465-475 nm
Vert : 510-530 nm
1. Epi LED bleu ou vert sur plaquette de saphir
1.1 Structure de Micro LED Eipitaxie sur Sapphire Wafer
| Structure de couches | Epaisseur (um) |
| p-GaN | 0.2 |
| p-AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaN (Région actif) | 0.2 |
| n-GaN | 2.5 |
| u-GaN | 3.5 |
| Al2O3 (substrat) |
1.2 Spécification de la plaquette Epi LED bleue ou verte sur substrat saphir
| Article | Exigence | gamme |
| Technologie de croissance | MOCVD | |
| Diamètre wafer | 2″ ou 4″ (prenez l'exemple 4″ ci-dessous) | |
| Matériau de substrat de plaquette | Substrat de saphir plat ou substrat de saphir à motifs | |
| diamètre du substrat | 100mm | +/-0.25mm |
| Epaisseur du substrat | 650um | +/-25um |
| plan c (0001), angle de coupe vers le plan m | 0,2 deg | +/-0,1 degré |
| longueur plate primaire simple | 30mm | +/-1mm |
| Orientation plat | un avion | |
| Longueur d'onde d'émission PL | 450-460nm (bleu) | |
| 520-530nm (vert) | ||
| Longueur d'onde PL FWHM | 17-18 (bleu) | |
| 30-35 (Vert) | ||
| courbe de basculement XRD (002) | =<200 | +/-20 |
| courbe de basculement XRD (102) | =<200 | +/-20 |
| Surface latérale avant, AFM(5*5 um2) Ra | <0,5 nm | |
| galette s'inclinant | <45 | +/-10 |
| Épaisseur totale des LED | 5.5um | +/-0.2um |
| variation d'épaisseur totale | 3% | |
| Densité de défauts (macroscopique) | <5E8/cm-2 |
1.3 Données de test de l'épitaxie LED
| 002 | 102 | In_comp | InGaN_THK | GaN_THK | Pair_THK |
| 178.6 | 193.2 | 9.48 | 41.7 | 82.5 | 124.2 |
| WLP_Moy | WLP_Std | PI_Moy | PI_Std | WLD_Moy | WLD_Std | INT_Moy | INT_Std |
| 448.34 | 3.729 | 1.673 | 0.494 | 454.999 | 2.747 | 117.883 | 0.167 |
| HW_Moy | HW_Std | TH_Moy | TH_Std | PR_Moy | PR_Std | LOP_Moy | LOP_Std |
| 16.387 | 6.1 | 0.092 | 290.56 | 7.176 | 136.312 | 0.874 | 2060 |
2. Epi LED UV sur saphir
Structure de plaquette, 365 nm ou 405 nm :
P-AlGaN
AlGaN EBL
TONES D'ALGaN / INGaN
N-SLS
N-AlGaN
AlGaN non dopé
substrat de saphir
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!
