Ganwafer offers N-type, P-type, and semi-insulating gallium nitride substrate, template and gallium nitride epitaxial wafer for HEMT with low marco defect density and dislocation density.
Ganwafer is a leading gallium nitride semiconductor manufacturer that offers wafers in different thicknesses and orientations with polished or unpolished sides and can comprise dopants. Gallium nitride is a wideband gap material that provides higher efficiency and power density than conventional semiconductors at the device level. The benefits include converting into size reduction, less power consumption, and affordable cost.
Avec l'avènement de la technologie épitaxiale, le nitrure de gallium sur tranche de silicium, tranche de saphir ou tranche de SiC est une structure multicouche complexe obtenue par épitaxie. Le film mince de nitrure de gallium est largement utilisé pour produire des dispositifs électroniques démontrant des performances supérieures, y compris les LED, LD ou d'autres applications. Nos gammes de produits vont du substrat GaN autonome, du gabarit GaN sur saphir/SiC/silicium, du HEMT GaN sur saphir/SiC/silicium, à la plaquette épitaxiale LED à base de GaN.
Plaquette de GaN cristallisée à partir d'un système d'équilibre en phase liquide qui montre sa grande cristallinité avec peu de dislocations. Le rendement et l'efficacité de différents produits fabriqués à l'aide de ces plaquettes de nitrure de gallium.
En raison de leur faible teneur en impuretés, les tranches de GaN offrent de faibles facteurs d'absorption de la lumière et une grande transparence qui contribuent à améliorer le rendement.
Pour notre marché des plaquettes de nitrure de gallium, nous nous préoccupons des spécifications du client. Nous couvrons également les arrangements personnalisés pour les applications commerciales et de recherche et les nouvelles technologies exclusives. En tant que fournisseur fiable de plaquettes de nitrure de gallium, nous livrons des emballages typiques et personnalisés. Vous pouvez nous contacter pour plus d'informations.
