Freistehendes GaN-Substrat mit M-Fläche
Ganwafer offers M Plane GaN Freestanding Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one. The detail specification of m-plane GaN single crystal substrate is as below:
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. Si-dotiertes Bulk-M-Plane-GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN M-N |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° |
| M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105bis 5 x 106cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
2. Undotiertes M-Face freistehendes GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN M-U |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° |
| M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105bis 5 x 106cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
3. Halbisolierendes freistehendes M-Ebenen-GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN M-SI |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° |
| M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | Halbisolierend |
| Widerstand (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105 bis 5 x 106cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!
