GaN sur plaquette HEMT en saphir

GaN sur plaquette HEMT en saphir

Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.

Et maintenant, veuillez voir ci-dessous les spécifications de la plaquette HEMT GaN-on-Sapphire :

Description

1. GaN sur tranche de saphir avec structure HEMT pour application de puissance

Taille de plaquette 2", 3", 4", 6"
AlGaN / GaN structure HEMT Se reporter 1.2
Densité porteuse 6E12~2E13cm2
Mobilité de salle /
DRX(102)FWHM ~arc.sec
DRX(002)FWHM ~arc.sec
Résistivité de feuille /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0.25nm
Arc (euh) <=35um
exclusion de bord <2mm
Couche de passivation SiN 0~30nm
Al composition 20 à 30%
En composition 17% pour InAlN
Bouchon de GaN /
Barrière AlGaN/(In)AlN /
Intercalaire AlN /
Canal GaN /
Tampon GaN dopé C /
nudité /
Matériau du substrat substrat de saphir

 

2. Structure GaN HEMT sur substrat saphir pour application RF

Taille de plaquette 2", 3", 4", 6"
AlGaN / GaN structure HEMT Se reporter 1.2
Densité porteuse 6E12~2E13cm2
Mobilité de salle /
DRX(102)FWHM /
DRX(002)FWHM /
Résistivité de feuille /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0.25nm
Arc (euh) <=35um
exclusion de bord <2mm
couche de passivation sin 0~30nm
couche de protection u-GaN /
Al composition 20 à 30%
En composition 17% pour InAlN
Couche barrière AlGaN 20 ~ 30 nm
Entretoise AlN /
Couche tampon GaN(um) /
Canal GaN /
Tampon GaN dopé Fe /
nudité /
Matériau du substrat substrat de saphir

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