GaN sur plaquette HEMT en saphir
Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.
Et maintenant, veuillez voir ci-dessous les spécifications de la plaquette HEMT GaN-on-Sapphire :
- La description
- Demande
Description
1. GaN sur tranche de saphir avec structure HEMT pour application de puissance
Taille de plaquette | 2", 3", 4", 6" |
AlGaN / GaN structure HEMT | Se reporter 1.2 |
Densité porteuse | 6E12~2E13cm2 |
Mobilité de salle | / |
DRX(102)FWHM | ~arc.sec |
DRX(002)FWHM | ~arc.sec |
Résistivité de feuille | / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
Arc (euh) | <=35um |
exclusion de bord | <2mm |
Couche de passivation SiN | 0~30nm |
Al composition | 20 à 30% |
En composition | 17% pour InAlN |
Bouchon de GaN | / |
Barrière AlGaN/(In)AlN | / |
Intercalaire AlN | / |
Canal GaN | / |
Tampon GaN dopé C | / |
nudité | / |
Matériau du substrat | substrat de saphir |
2. Structure GaN HEMT sur substrat saphir pour application RF
Taille de plaquette | 2", 3", 4", 6" |
AlGaN / GaN structure HEMT | Se reporter 1.2 |
Densité porteuse | 6E12~2E13cm2 |
Mobilité de salle | / |
DRX(102)FWHM | / |
DRX(002)FWHM | / |
Résistivité de feuille | / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
Arc (euh) | <=35um |
exclusion de bord | <2mm |
couche de passivation sin | 0~30nm |
couche de protection u-GaN | / |
Al composition | 20 à 30% |
En composition | 17% pour InAlN |
Couche barrière AlGaN | 20 ~ 30 nm |
Entretoise AlN | / |
Couche tampon GaN(um) | / |
Canal GaN | / |
Tampon GaN dopé Fe | / |
nudité | / |
Matériau du substrat | substrat de saphir |
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!