サファイアHEMTウェーハ上のGaN

サファイアHEMTウェーハ上のGaN

Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.

そして今、以下のGaN-on-SapphireHEMTウェーハの仕様をご覧ください。

説明

1.電力アプリケーション用のHEMT構造を備えたサファイアウェーハ上のGaN

ウェーハサイズ 2” 、3” 、4” 、6”
AlGaN / GaN HEMT構造 1.2を参照してください。
キャリア密度 6E12〜2E13 cm2
ホール移動度 /
XRD(102)FWHM 〜arc.sec
XRD(002)FWHM 〜arc.sec
シート抵抗率 /
5x5um2のAFMRMS(nm) <0.25nm
ボウ(UM) <= 35um
エッジ除外 <2ミリメートル
SiNパッシベーション層 0〜30nmで
Al組成 20から30パーセント
組成物において、 InAlNを17%
GaNキャップ /
AlGaN /(IN)のAlN障壁 /
AlN中間層 /
GaNチャネル /
Cは、GaNバッファドープ /
Nudeation /
基板材料 サファイア基板

 

2.RFアプリケーション用のサファイア基板上のGaNHEMT構造

ウェーハサイズ 2” 、3” 、4” 、6”
AlGaN / GaN HEMT構造 1.2を参照してください。
キャリア密度 6E12〜2E13 cm2
ホール移動度 /
XRD(102)FWHM /
XRD(002)FWHM /
シート抵抗率 /
5x5um2のAFMRMS(nm) <0.25nm
ボウ(UM) <= 35um
エッジ除外 <2ミリメートル
siNパッシベーションレイヤー 0〜30nmで
u-GaNキャップ層 /
Al組成 20から30パーセント
組成物において、 InAlNを17%
AlGaNバリア層 20〜30nm
AlNスペーサー /
GaNバッファ層(um) /
GaNチャネル /
FEは、GaNバッファドープ /
Nudeation /
基板材料 サファイア基板

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