GaN su Sapphire HEMT Wafer
Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.
E ora, vedere di seguito le specifiche del wafer HEMT GaN-on-Sapphire:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. GaN su Sapphire Wafer con struttura HEMT per applicazioni di alimentazione
| Dimensione del wafer | 2”, 3”, 4”, 6” |
| / GaN HEMT struttura AlGaN | Fare riferimento 1.2 |
| Densità portante | 6E12~2E13 cm2 |
| Mobilità in sala | / |
| XRD(102)FWHM | ~arco.sec |
| XRD(002)FWHM | ~arco.sec |
| Resistività del foglio | / |
| AFM RMS (nm) di 5x5um2 | <0,25 nm |
| Inchino (um) | <=35um |
| Esclusione dei bordi | <2mm |
| Strato di passivazione SiN | 0~30 nm |
| Al composizione | 20-30% |
| Nella composizione | 17% per InAlN |
| Tappo GaN | / |
| Barriera AlGaN/(In)AlN | / |
| Intercalare AlN | / |
| canale GaN | / |
| Buffer GaN drogato con C | / |
| Nudazione | / |
| Materiale del substrato | substrato di zaffiro |
2. Struttura GaN HEMT su substrato di zaffiro per applicazioni RF
| Dimensione del wafer | 2”, 3”, 4”, 6” |
| / GaN HEMT struttura AlGaN | Fare riferimento 1.2 |
| Densità portante | 6E12~2E13 cm2 |
| Mobilità in sala | / |
| XRD(102)FWHM | / |
| XRD(002)FWHM | / |
| Resistività del foglio | / |
| AFM RMS (nm) di 5x5um2 | <0,25 nm |
| Inchino (um) | <=35um |
| Esclusione dei bordi | <2mm |
| siN strato di passivazione | 0~30 nm |
| Strato del cappuccio in u-GaN | / |
| Al composizione | 20-30% |
| Nella composizione | 17% per InAlN |
| Strato barriera AlGaN | 20 ~ 30 nm |
| distanziatore AlN | / |
| Strato tampone GaN (um) | / |
| canale GaN | / |
| Tampone GaN drogato con Fe | / |
| Nudazione | / |
| Materiale del substrato | substrato di zaffiro |
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
