GaN su Sapphire HEMT Wafer

GaN su Sapphire HEMT Wafer

Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.

E ora, vedere di seguito le specifiche del wafer HEMT GaN-on-Sapphire:

Descrizione

1. GaN su Sapphire Wafer con struttura HEMT per applicazioni di alimentazione

Dimensione del wafer 2”, 3”, 4”, 6”
/ GaN HEMT struttura AlGaN Fare riferimento 1.2
Densità portante 6E12~2E13 cm2
Mobilità in sala /
XRD(102)FWHM ~arco.sec
XRD(002)FWHM ~arco.sec
Resistività del foglio /
AFM RMS (nm) di 5x5um2 <0,25 nm
Inchino (um) <=35um
Esclusione dei bordi <2mm
Strato di passivazione SiN 0~30 nm
Al composizione 20-30%
Nella composizione 17% per InAlN
Tappo GaN /
Barriera AlGaN/(In)AlN /
Intercalare AlN /
canale GaN /
Buffer GaN drogato con C /
Nudazione /
Materiale del substrato substrato di zaffiro

 

2. Struttura GaN HEMT su substrato di zaffiro per applicazioni RF

Dimensione del wafer 2”, 3”, 4”, 6”
/ GaN HEMT struttura AlGaN Fare riferimento 1.2
Densità portante 6E12~2E13 cm2
Mobilità in sala /
XRD(102)FWHM /
XRD(002)FWHM /
Resistività del foglio /
AFM RMS (nm) di 5x5um2 <0,25 nm
Inchino (um) <=35um
Esclusione dei bordi <2mm
siN strato di passivazione 0~30 nm
Strato del cappuccio in u-GaN /
Al composizione 20-30%
Nella composizione 17% per InAlN
Strato barriera AlGaN 20 ~ 30 nm
distanziatore AlN /
Strato tampone GaN (um) /
canale GaN /
Tampone GaN drogato con Fe /
Nudazione /
Materiale del substrato substrato di zaffiro

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