GaN auf Saphir-HEMT-Wafer

GaN auf Saphir-HEMT-Wafer

Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.

Und jetzt sehen Sie bitte unten GaN-on-Sapphire-HEMT-Wafer-Spezifikationen:

Beschreibung

1. GaN auf Saphirwafer mit HEMT-Struktur für Leistungsanwendungen

Wafergröße 2", 3", 4", 6"
AlGaN / GaN HEMT-Struktur siehe 1.2
Trägerdichte 6E12~2E13 cm2
Hallenmobilität /.
XRD(102)FWHM ~Bogen.Sek
XRD(002)FWHM ~Bogen.Sek
Blattwiderstand /.
AFM RMS (nm) von 5x5um2 <0,25 nm
Schleife (ähm) <=35um
Randausschluss <2mm
SiN-Passivierungsschicht 0~30nm
Al-Zusammensetzung 20-30%
In Komposition 17 % für InAlN
GaN-Kappe /.
AlGaN/(In)AlN-Barriere /.
AlN-Zwischenschicht /.
GaN-Kanal /.
C-dotierter GaN-Puffer /.
Nacktheit /.
Substratmaterial Saphirsubstrat

 

2. GaN-HEMT-Struktur auf Saphirsubstrat für HF-Anwendung

Wafergröße 2", 3", 4", 6"
AlGaN / GaN HEMT-Struktur siehe 1.2
Trägerdichte 6E12~2E13 cm2
Hallenmobilität /.
XRD(102)FWHM /.
XRD(002)FWHM /.
Blattwiderstand /.
AFM RMS (nm) von 5x5um2 <0,25 nm
Schleife (ähm) <=35um
Randausschluss <2mm
siN-Passivierungsschicht 0~30nm
u-GaN-Deckschicht /.
Al-Zusammensetzung 20-30%
In Komposition 17 % für InAlN
AlGaN-Sperrschicht 20~30nm
AlN-Abstandshalter /.
GaN-Pufferschicht (um) /.
GaN-Kanal /.
Fe-dotierter GaN-Puffer /.
Nacktheit /.
Substratmaterial Saphirsubstrat

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