Freistehendes GaN-Substrat vom N-Typ
Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:
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Beschreibung
1. Spezifikation des freistehenden GaN-Substrats vom N-Typ
1.1 4″ N-dotiertes freistehendes GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GaN100-N+ |
| Conduction Typ | N-Typ/Si-dotiert |
| Größe | 4″(100)+/-1mm |
| Dicke | 480+/-50 |
| Orientierung | C-Achse (0001) +/- 0,5 ° |
| Primäre Wohnung Standort | (10-10) +/- 0,5° |
| Primäre Wohnung Länge | 32 +/- 1mm |
| Secondary Wohnung Standort | (1-210) +/-3° |
| Secondary Wohnung Länge | 16 +/- 1mm |
| Spezifischer Widerstand (300K) | <0.05Ω · cm |
| Versetzungsdichte | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100Bogensek |
| TTV | <=30um |
| BOGEN | <=+/-30um |
| Oberflächenfinish | Vordere Oberfläche: Ra <= 0,3 nm. Epi-ready poliert |
| - - | Rückseite: 1. Fein geschliffen |
| - - | 2. Poliert |
| Nutzfläche | ≥ 90% |
1.2 4″ Low Doped GaN, N Type
| Artikel | GANW-FS-GaN100-N- |
| Conduction Typ | N type/low doped |
| Größe | 4″(100)+/-1mm |
| Dicke | 480+/-50 |
| Orientierung | C-Achse (0001) +/- 0,5 ° |
| Primäre Wohnung Standort | (10-10) +/- 0,5° |
| Primäre Wohnung Länge | 32 +/- 1mm |
| Secondary Wohnung Standort | (1-210) +/-3° |
| Secondary Wohnung Länge | 16 +/- 1mm |
| Spezifischer Widerstand (300K) | <0.5Ω · cm |
| Versetzungsdichte | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100Bogensek |
| TTV | <=30um |
| BOGEN | <=+/-30um |
| Oberflächenfinish | Vordere Oberfläche: Ra <= 0,3 nm. Epi-ready poliert |
| - - | Rückseite: 1. Fein geschliffen |
| - - | 2. Poliert |
| Nutzfläche | ≥ 90% |
1.3 2″ Si-dotierter GaN-Film
| Artikel | GANW-FS-GaN50-N+ |
| Conduction Typ | N-Typ/Si-dotiert |
| Größe | 2 "(50,8) +/- 1mm |
| Dicke | 400+/-50 |
| Orientierung | C-Achse (0001) +/- 0,5 ° |
| Primäre Wohnung Standort | (10-10) +/- 0,5° |
| Primäre Wohnung Länge | 16 +/- 1mm |
| Secondary Wohnung Standort | (1-210) +/-3° |
| Secondary Wohnung Länge | 8 +/- 1mm |
| Spezifischer Widerstand (300K) | <0.05Ω · cm |
| Versetzungsdichte | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100Bogensek |
| TTV | <= 15um |
| BOGEN | <=+/-20um |
| Oberflächenfinish | Vorderseite: Ra <= 0,3 nm. Epi-ready poliert |
| - - | Rückseite: 1. Fein geschliffen |
| - - | 2. Poliert |
| Nutzfläche | ≥ 90% |
1.4 2″ Low Doped N Type GaN Thin Film
| Artikel | GANW-FS-GaN50-N- |
| Conduction Typ | N type/low doped |
| Größe | 2 "(50,8) +/- 1mm |
| Dicke | 400+/-50 |
| Orientierung | C-Achse (0001) +/- 0,5 ° |
| Primäre Wohnung Standort | (10-10) +/- 0,5° |
| Primäre Wohnung Länge | 16 +/- 1mm |
| Secondary Wohnung Standort | (1-210) +/-3° |
| Secondary Wohnung Länge | 8 +/- 1mm |
| Spezifischer Widerstand (300K) | <0.5Ω · cm |
| Versetzungsdichte | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100Bogensek |
| TTV | <= 15um |
| BOGEN | <=+/-20um |
| Oberflächenfinish | Vorderseite: Ra <= 0,3 nm. Epi-ready poliert |
| - - | Rückseite: 1. Fein geschliffen |
| - - | 2. Poliert |
| Nutzfläche | ≥ 90% |
2. Anwendung des GaN-Substrats
Derzeit wird die Anwendung von GaN noch vom Militär dominiert, und es hat allmählich begonnen, sich in Richtung kommerzieller Bereiche wie unbemannte Fahrzeuge, drahtlose Kommunikationsbasisstationen usw. zu bewegen. Und es gibt breite Anwendungsperspektiven bei Weißlicht-LEDs, kurz Wellenlängenlaser, UV-Detektoren und Hochtemperatur-Hochleistungsgeräte. Die größte Anwendung von GaN-Substraten (wie halbisolierende / P-Typ- / N-Typ-GaN-Dünnfilme) gehört derzeit zu Lasern, die hauptsächlich bei der Herstellung von blauen Laserdioden verwendet werden. Diese Produkte wurden als Schlüsselkomponenten in Blu-ray Discs und HD-DVDs verwendet. Darüber hinaus eignen sich diese auf GaN-Substrat mit ohmschem Kontakt hergestellten Laser auch sehr gut für Projektionsdisplays, hochpräzises Drucken und optische Sensorfelder.
Darüber hinaus gibt es einen potenziellen Markt für GaN-Wafer für optische Detektoren, zu denen hauptsächlich Flammenmessung, Ozonüberwachung, Verschmutzungsüberwachung, Blutanalyse, Quecksilberlampen-Desinfektionsüberwachung, Laserdetektoren und andere Anwendungen gehören, die Eigenschaften von Sonnenblindzonen erfordern.
Es ist absehbar, dass mit der allmählichen Reife der GaN-Substrattechnologie erwartet wird, dass kostengünstige, qualitativ hochwertige GaN-Substrate auf den Gebieten der mikroelektronischen Halbleiterbauelemente und optoelektronischen Bauelemente weit verbreitet sein werden.
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!
