Freistehendes GaN-Substrat vom N-Typ

Beschreibung

1. Spezifikation des freistehenden GaN-Substrats vom N-Typ

1.1 4″ N-dotiertes freistehendes GaN-Substrat

1.2 4″ Undotiertes GaN, N-Typ

1.3 2″ Si-dotierter GaN-Film

1.4 2″ Undotierter GaN-Dünnfilm vom N-Typ

2. Anwendung des GaN-Substrats

Derzeit wird die Anwendung von GaN noch vom Militär dominiert, und es hat allmählich begonnen, sich in Richtung kommerzieller Bereiche wie unbemannte Fahrzeuge, drahtlose Kommunikationsbasisstationen usw. zu bewegen. Und es gibt breite Anwendungsperspektiven bei Weißlicht-LEDs, kurz Wellenlängenlaser, UV-Detektoren und Hochtemperatur-Hochleistungsgeräte. Die größte Anwendung von GaN-Substraten (wie halbisolierende / P-Typ- / N-Typ-GaN-Dünnfilme) gehört derzeit zu Lasern, die hauptsächlich bei der Herstellung von blauen Laserdioden verwendet werden. Diese Produkte wurden als Schlüsselkomponenten in Blu-ray Discs und HD-DVDs verwendet. Darüber hinaus eignen sich diese auf GaN-Substrat mit ohmschem Kontakt hergestellten Laser auch sehr gut für Projektionsdisplays, hochpräzises Drucken und optische Sensorfelder.

Darüber hinaus gibt es einen potenziellen Markt für GaN-Wafer für optische Detektoren, zu denen hauptsächlich Flammenmessung, Ozonüberwachung, Verschmutzungsüberwachung, Blutanalyse, Quecksilberlampen-Desinfektionsüberwachung, Laserdetektoren und andere Anwendungen gehören, die Eigenschaften von Sonnenblindzonen erfordern.

Es ist absehbar, dass mit der allmählichen Reife der GaN-Substrattechnologie erwartet wird, dass kostengünstige, qualitativ hochwertige GaN-Substrate auf den Gebieten der mikroelektronischen Halbleiterbauelemente und optoelektronischen Bauelemente weit verbreitet sein werden.