GaN vom Typ P auf Saphir oder Siliziumschablone
Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.
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Beschreibung
1. Spezifikationen von GaN auf Saphir-Template
1.1 4 Zoll Mg-dotierte GaN/Saphir-Substrate
Artikel | GANW-T-GaN-100-P |
Dimension | 100 ± 0,1 mm |
Dicke | 5 ±1 μm |
Ausrichtung von GaN | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ±0,1° |
Orientierungsfläche aus GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
Conduction Typ | P-Typ |
Widerstand (300K) | ~ 10 Ω·cm |
Ladungsträgerkonzentration | >6X1016CM-3 (Dotierkonzentration≥10x1020cm-3 |
Mobilität | ~ 10cm2 / V·s |
Versetzungsdichte | < 5 x 108 cm-2 (geschätzt durch FWHMs von XRD) |
Struktur | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN-Pufferschicht/430 ± 25 μm |
Ausrichtung von Saphir | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ±0,1° |
Orientierungsfläche aus Saphir | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
Oberflächenrauheit: | Vorderseite: Ra<0,5nm, epi-ready; |
Rückseite: geätzt oder poliert. | |
Nutzfläche | > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern) |
Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
1.2 2 Zoll Mg-dotierte GaN/Saphir-Substrate
Artikel | GANW-T-GaN-50-P |
Dimension | 50,8 ± 0,1 mm |
Dicke | 5 ±1 μm |
Ausrichtung von GaN | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ±0,1° |
Orientierungsfläche aus GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
Conduction Typ | P-Typ |
Widerstand (300K) | ~ 10 Ω·cm |
Ladungsträgerkonzentration | >6X1016CM-3 (Dotierkonzentration≥10x1020cm-3 |
Mobilität | ~ 10cm2 / V·s |
Versetzungsdichte | < 5 x 108 cm-2 (geschätzt durch FWHMs von XRD) |
Struktur | 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN-Pufferschicht/430 ± 25 μm |
Ausrichtung von Saphir | C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ±0,1° |
Orientierungsfläche aus Saphir | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
Oberflächenrauheit: | Vorderseite: Ra<0,5nm, epi-ready; |
Rückseite: geätzt oder poliert. | |
Nutzfläche | > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern) |
2. Spezifikation von GaN vom P-Typ auf Siliziumschablone
Beschreibung | Art | Dotierstoff | Substrat | Größe | GaN-Dicke | Oberfläche |
GaN-Template auf 4″-Siliziumwafer, GaN-Film | P-Typ | Mg-dotiert | Si(111)-Substrate | 4 " | 2um | einseitig poliert |
GaN-Template auf 2″-Siliziumwafer, GaN-Film | P-Typ | Mg-dotiert | Si(111)-Substrate | 2 " | 2um | einseitig poliert |
3. 2″ Durchmesser, P-Typ GaN auf Silizium
2 Durchmesser, GaN auf Silizium
GaN-Schichtdicke: 2um
GaN-Schicht: P-Typ, Mg-dotiert.
Struktur: GaN auf Silizium (111).
Substrat: Silizium (111), p-Typ, 430 +/- 25 um
XRD(102) < 700 Bogensekunden
XRD(002) < 500 Bogensekunden
Einseitig poliert, Epi-bereit, Ra <0,5 nm
Trägerkonzentration: 5E17~5E18
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!