GaN vom Typ P auf Saphir oder Siliziumschablone

GaN vom Typ P auf Saphir oder Siliziumschablone

Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.

Beschreibung

1. Spezifikationen von GaN auf Saphir-Template

1.1 4 Zoll Mg-dotierte GaN/Saphir-Substrate

Artikel GANW-T-GaN-100-P
Dimension 100 ± 0,1 mm
Dicke 5 ±1 μm
Ausrichtung von GaN C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ±0,1°
Orientierungsfläche aus GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Conduction Typ P-Typ
Widerstand (300K) ~ 10 Ω·cm
Ladungsträgerkonzentration >6X1016CM-3 (Dotierkonzentration≥10x1020cm-3
Mobilität ~ 10cm2 / V·s
Versetzungsdichte < 5 x 108 cm-2 (geschätzt durch FWHMs von XRD)
Struktur 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN-Pufferschicht/430 ± 25 μm
Ausrichtung von Saphir C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ±0,1°
Orientierungsfläche aus Saphir (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Oberflächenrauheit: Vorderseite: Ra<0,5nm, epi-ready;
Rückseite: geätzt oder poliert.
Nutzfläche > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern)
Paket jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100

 

1.2 2 Zoll Mg-dotierte GaN/Saphir-Substrate

Artikel GANW-T-GaN-50-P
Dimension 50,8 ± 0,1 mm
Dicke 5 ±1 μm
Ausrichtung von GaN C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,2 ±0,1°
Orientierungsfläche aus GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Conduction Typ P-Typ
Widerstand (300K) ~ 10 Ω·cm
Ladungsträgerkonzentration >6X1016CM-3 (Dotierkonzentration≥10x1020cm-3
Mobilität ~ 10cm2 / V·s
Versetzungsdichte < 5 x 108 cm-2 (geschätzt durch FWHMs von XRD)
Struktur 2~2,5 μm pGaN/2~2,5 μm pGaN uGaN/50 nm uGaN-Pufferschicht/430 ± 25 μm
Ausrichtung von Saphir C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ±0,1°
Orientierungsfläche aus Saphir (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Oberflächenrauheit: Vorderseite: Ra<0,5nm, epi-ready;
Rückseite: geätzt oder poliert.
Nutzfläche > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern)

 

2. Spezifikation von GaN vom P-Typ auf Siliziumschablone

Beschreibung Art Dotierstoff Substrat Größe GaN-Dicke Oberfläche
GaN-Template auf 4″-Siliziumwafer, GaN-Film P-Typ Mg-dotiert Si(111)-Substrate 4 " 2um einseitig poliert
GaN-Template auf 2″-Siliziumwafer, GaN-Film P-Typ Mg-dotiert Si(111)-Substrate 2 " 2um einseitig poliert

 

3. 2″ Durchmesser, P-Typ GaN auf Silizium

2 Durchmesser, GaN auf Silizium

GaN-Schichtdicke: 2um

GaN-Schicht: P-Typ, Mg-dotiert.

Struktur: GaN auf Silizium (111).

Substrat: Silizium (111), p-Typ, 430 +/- 25 um

XRD(102) < 700 Bogensekunden

XRD(002) < 500 Bogensekunden

Einseitig poliert, Epi-bereit, Ra <0,5 nm

Trägerkonzentration: 5E17~5E18

 

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!

    wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt:
    Kasse