Galliumnitrid (GaN)-Substrate werden durch Hydriddampfphasenepitaxie (HVPE)-Technologie gezüchtet. Wir bieten reine Galliumnitrid-Substrate nach Industriestandard gemäß den Anforderungen und Spezifikationen des Kunden. GaN-Substrate werden von einer kleinen Anzahl von Unternehmen zu Preisen hergestellt, die über der Massenproduktion liegen. GaN-basierte Bauelemente werden fast vollständig auf fremden Substraten wie Saphir (Al2O3) und SiC-Substrat entwickelt.
Ganwafer is a leading Freestanding GaN Substrate Manufacturer that produces gallium nitride semiconductor substrate that offers great potential for high-performance devices. Ganwafer has established the gallium nitride semiconductor technology for free standing GaN single crystal substrate wafer and related III-N Materials, including GaN substrates of various orientations and electrical conductivity, crystalline GaN Wafer, which is for UHB-LED and LD. Our gallium nitride wafers have low defect density.
Unsere freistehenden GaN-Kristallsubstrate in Premiumqualität sind mit niedriger Versetzungsdichte und gleichmäßigen Oberflächen ohne unterbrochene Defekte erhältlich. Sie werden häufig für verschiedene Anwendungen wie Festkörperbeleuchtung, Leistungsgeräte, drahtlose Basisstationen, drahtlosen Breitbandzugang, Drucksensoren, Wärmesensoren, Automobilelektronik usw. verwendet.
Als renommierter und professioneller freistehender GaN-Substratlieferant liefern wir die Produkte direkt ab Werk. Wir stellen sicher, dass unsere geschätzten Kunden das beste Angebot für hochwertige Bulk-Galliumnitrid-Kristallsubstrate erhalten. Unsere globalen Kunden genießen unser Team aufgrund unseres hervorragenden Kundenservice als ihren bevorzugten Lieferanten von GaN-Kristallsubstraten. Zögern Sie nicht, uns für weitere Informationen zu unserem freistehenden GaN-Produkt zu kontaktieren.
