Semipolares freistehendes GaN-Substrat

Semipolares freistehendes GaN-Substrat

In Bezug auf das Wachstum von längerwelligen Geräten wie gelben oder sogar roten Emittern, einschließlich LEDs und LDs, wird das (11-22) semipolare GaN-Substrat das vielversprechendste Material sein, obwohl es noch viele große Herausforderungen gibt. Vielleicht können diese Probleme durch Verbesserung der Wachstumstechnologie und des strukturellen Designs gelöst werden. Außerdem wird semipolares GaN, das mit (11-22) direkt auf flachem Saphir gewachsen ist, ein großer Vorteil für die kommerzielle Anwendung dieser Technologie sein.

PAM-XIAMEN bietet freistehende semipolare GaN-Bulk-Substrate an, darunter Si-dotierte, undotierte und halbisolierende Substrate mit der Ausrichtung (10-11) bzw. (11-22). Die Detailspezifikation des semipolaren GaN-Substrats lautet wie folgt:

Beschreibung

1. Si-dotiertes halbpolares (10-11) freistehendes GaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GAN(10-11)-N
Dimension 5 x 10 mm2
Dicke 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientierung (10-11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5°
(10-11) Planabweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2°
Conduction Typ N-Typ
Widerstand (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Oberflächenrauheit Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready;
Rückseite: Fein geschliffen oder poliert.
Versetzungsdichte Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2
Makrodefektdichte 0 cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100

 

2. Undotiertes semipolares (10-11) selbsttragendes GaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GAN(10-11)-U
Dimension 5 x 10 mm2
Dicke 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientierung (10-11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5°
(10-11) Planabweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2°
Conduction Typ N-Typ
Widerstand (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Oberflächenrauheit Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready;
Rückseite: Fein geschliffen oder poliert.
Versetzungsdichte Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2
Makrodefektdichte 0 cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100

 

3. Halbisolierendes, freistehendes, halbpolares (10-11) GaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GAN(10-11)-SI
Dimension 5 x 10 mm2
Dicke 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientierung (10-11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5°
(10-11) Planabweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2°
Conduction Typ Halbisolierend
Widerstand (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Oberflächenrauheit Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready;
Rückseite: Fein geschliffen oder poliert.
Versetzungsdichte Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2
Makrodefektdichte 0 cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100

 

4. Si-dotiertes semipolares (11–22) freistehendes GaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GAN(11-22)-N
Dimension 5 x 10 mm2
Dicke 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientierung (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Conduction Typ N-Typ
Widerstand (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Oberflächenrauheit Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready;
Rückseite: Fein geschliffen oder poliert.
Versetzungsdichte Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2
Makrodefektdichte 0 cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100

 

5. Undotiertes freistehendes semipolares (11-22) GaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GAN(11-22)-U
Dimension 5 x 10 mm2
Dicke 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientierung (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Conduction Typ N-Typ
Widerstand (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Oberflächenrauheit Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready;
Rückseite: Fein geschliffen oder poliert.
Versetzungsdichte Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2
Makrodefektdichte 0 cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100

6. Halbisolierendes halbpolares (11–22) freistehendes GaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GAN(11-22)-SI
Dimension 5 x 10 mm2
Dicke 350 ±25 µm 430 ±25 µm
Orientierung (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Conduction Typ Halbisolierend
Widerstand (300K) > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Oberflächenrauheit Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready;
Rückseite: Fein geschliffen oder poliert.
Versetzungsdichte Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2
Makrodefektdichte 0 cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100

 

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