Semipolares freistehendes GaN-Substrat
In Bezug auf das Wachstum von längerwelligen Geräten wie gelben oder sogar roten Emittern, einschließlich LEDs und LDs, wird das (11-22) semipolare GaN-Substrat das vielversprechendste Material sein, obwohl es noch viele große Herausforderungen gibt. Vielleicht können diese Probleme durch Verbesserung der Wachstumstechnologie und des strukturellen Designs gelöst werden. Außerdem wird semipolares GaN, das mit (11-22) direkt auf flachem Saphir gewachsen ist, ein großer Vorteil für die kommerzielle Anwendung dieser Technologie sein.
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. Si-dotiertes halbpolares (10-11) freistehendes GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | (10-11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° |
| (10-11) Planabweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0 cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
2. Undotiertes semipolares (10-11) selbsttragendes GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | (10-11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° |
| (10-11) Planabweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0 cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
3. Halbisolierendes, freistehendes, halbpolares (10-11) GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | (10-11) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° |
| (10-11) Planabweichungswinkel zur C-Achse -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | Halbisolierend |
| Widerstand (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0 cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
4. Si-dotiertes semipolares (11–22) freistehendes GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0 cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
5. Undotiertes freistehendes semipolares (11-22) GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0 cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
6. Halbisolierendes halbpolares (11–22) freistehendes GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| Orientierung | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Conduction Typ | Halbisolierend |
| Widerstand (300K) | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Von 1 x 10 5 bis 5 x 10 6 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0 cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!
