A Face freistehendes GaN-Substrat
We offer a-plane Freestanding GaN Substrate including Si-doped, low doped and semi-insulating one. For Freestanding GaN, we have a history to control macro defects. Before 2000, we have dedicated research of GaN material. In 2007, we offer FS GaN on small quantity. In 2009, we offer FS GaN substrate on mass production, and we grade macro defects density: B grade: (5-10) cm-2oder A-Grad <5 cm-2. Im Jahr 2011 haben wir eine große Verbesserung: Bei großen Größen (2 Zoll) können wir sie mit Makrofehlern (0-2) cm kontrollieren-2. Die Spezifikation des a-plane (11-20) GaN-Substrats lautet wie folgt:
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. Si-dotiertes A-Flächen-GaN-Kristallsubstrat
| Artikel | GANW-FS-GAN A-N |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientierung | Eine Ebene (11-20) hat einen Versatzwinkel zur M-Achse von 0 ±0,5° |
| Eine Ebene (11-20) hat einen Versatzwinkel zur C-Achse von -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit: | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105 bis 5 x 106 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
2. Low Doped Freestanding A Plane GaN Substrate
| Artikel | GANW-FS-GAN A-U |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientierung | Eine Ebene (11-20) hat einen Versatzwinkel zur M-Achse von 0 ±0,5° |
| Eine Ebene (11-20) hat einen Versatzwinkel zur C-Achse von -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | N-Typ |
| Widerstand (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit: | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105 bis 5 x 106 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
3. Freistehendes halbisolierendes A-Ebenen-GaN-Substrat
| Artikel | GANW-FS-GAN A-SI |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Dicke | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientierung | Eine Ebene (11-20) hat einen Versatzwinkel zur M-Achse von 0 ±0,5° |
| Eine Ebene (11-20) hat einen Versatzwinkel zur C-Achse von -1 ±0,2° | |
| Conduction Typ | Halbisolierend |
| Widerstand (300K) | > 10 6Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOGEN | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Oberflächenrauheit: | Vorderseite: Ra <0,2 nm, epi-ready; |
| Rückseite: Fein geschliffen oder poliert. | |
| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105 bis 5 x 106 cm-2 |
| Makrodefektdichte | 0cm-2 |
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) |
| Paket | jeweils in einem Wafer-Container, unter Stickstoffatmosphäre, verpackt in einem Reinraum der Klasse 100 |
Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!
