GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
In früheren Studien für GaN auf Saphirsubstrat wurden Hinweise auf Mikrorissbildung im Saphirsubstrat während des GaN-Wachstums gefunden. Es wurde jedoch angenommen, dass die Bildung von Makrorissen, die sich bis zur GaN-Oberfläche erstrecken, nur von thermischer Fehlanpassung herrührt. Später, als die GaN-Schichten auf Saphir über 100 mm wuchsen, wurde festgestellt, dass es einen effizienten Relaxationsprozess für das GaN-Template auf Saphir gab. Das Wachstum von rissfreiem GaN-auf-Saphir-Templat mit einem Durchmesser von annähernd 2 Zoll wurde demonstriert. Es hat sich herausgestellt, dass Risse normalerweise bereits während des Wachstums des GaN/Saphir-Templats aufgrund der während der frühen Keimbildung gebildeten Zugspannung gebildet werden. Diese frühe Rissbildung auf GaN auf Saphir-Templat kann nachteilige Wirkungen haben; Mikrorisse im Saphirsubstrat können als spätere Anfangsbruchstellen zum Abbau der erhöhten Dehnung aufgrund der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten der Schichten und des Substrats beim Abkühlen dienen. Auch wenn Wachstumsbedingungen gefunden werden können, die während des Wachstums zu einer Rissheilung führen, gilt dies. Die Diffusivität der gewachsenen GaN-Filme auf der Saphiroberfläche wird als wichtiger Parameter für die Heilung solcher Risse angesehen.
