GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
V dřívějších studiích pro GaN na safírovém substrátu byly nalezeny důkazy o tvorbě mikrotrhlin v safírovém substrátu během růstu GaN. Ale předpokládalo se, že vznik makrotrhlin zasahujících až k povrchu GaN pochází pouze z tepelného nesouladu. Později, když vrstvy GaN na safíru přesáhly 100 mm, bylo zjištěno, že existuje účinný relaxační proces pro šablonu GaN na safíru. Byl prokázán růst templátu GaN-on-safír bez prasklin, který se blíží 2 palcům v průměru. Bylo zjištěno, že trhliny se obvykle tvoří již během růstu templátu GaN/safír v důsledku tahového napětí vzniklého během časné nukleace. Tato časná tvorba trhlin na GaN na safírové šabloně může mít nepříznivé účinky; mikrotrhliny v safírovém substrátu mohou působit jako následné počáteční lomové body pro zmírnění zvýšeného napětí v důsledku různých koeficientů tepelné roztažnosti vrstev a substrátu během ochlazování. I když lze najít podmínky růstu, které vedou k hojení trhlin během růstu, platí to. Difuzivita narostlých GaN filmů na safírovém povrchu je považována za důležitý parametr pro hojení takových trhlin.
