Halbisolierendes freistehendes GaN-Substrat

Halbisolierendes freistehendes GaN-Substrat

Semi-insulating Freestanding GaN (Gallium Nitride) Substrate is mainly for RF device based on HEMT structure. Ganwafer, a semi-insulating freestanding GaN substrate manufacturer, has formed the manufacturing technology for freestanding GaN semi-insulating substrate wafer. The substrate wafer is for UHB-LED and LD. Our GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has low defect density and less or free macro defect density. More specification of GaN semi-insulating substrate, please see below:

Beschreibung

1. Spezifikation des halbisolierenden freistehenden GaN-Substrats

1.1 Halbisolierendes 4-Zoll-GaN-Wafersubstrat

Artikel GANW-FS-GaN100-SI
Conduction Typ Halbisolierend
Größe 4″(100)+/-1mm
Dicke 480+/-50um
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5 °
Primäre Wohnung Standort (10-10) +/- 0,5°
Primäre Wohnung Länge 32 +/- 1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210) +/-3°
Secondary Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) >10^6Ω·cm
Versetzungsdichte <5 × 106cm-2
FWHM <=100Bogensek
TTV <=30um
BOGEN <=+/-30um
Oberflächenfinish Vordere Oberfläche: Ra <= 0,3 nm. Epi-ready poliert
- - Rückseite: 1. Fein geschliffen
- - 2. Poliert
Nutzfläche ≥ 90%

 

1.2 2″ halbisoliertes freistehendes GaN-Substrat

Artikel GANW-FS-GaN50-SI
Conduction Typ Halbisolierend
Größe 2 "(50,8) +/- 1mm
Dicke 400+/-50um
Orientierung C-Achse (0001) Abweichungswinkel zur A-Achse 0,35°+/-0,15°
Primäre Wohnung Standort (10-10) +/- 0,5°
Primäre Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210) +/-3°
Secondary Wohnung Länge 8 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) >10^6Ω·cm
Versetzungsdichte <5 × 106cm-2
FWHM <=100Bogensek
TTV <= 15um
BOGEN <=+/-20um
Oberflächenfinish Vorderseite: Ra <= 0,3 nm. Epi-ready poliert
- - Rückseite: 1. Fein geschliffen
- - 2. Poliert.
Nutzfläche ≥ 90%

 

2. XRD Rocking Curves-GaN-Material-TESTBERICHT

Ein Prüfbericht kann die Waferqualität und die Übereinstimmung zwischen Beschreibung und Daten von Wafern zeigen. Nach dem Fertigungsprozess testen wir die Wafercharakterisierung:

* Testen Sie die Oberflächenrauheit des Wafers mit einem Rasterkraftmikroskop;

* Testleitfähigkeitstyp mit Roman Spectra-Instrument;

* Testen Sie den spezifischen Widerstand des Wafers mit berührungslosen Widerstandsprüfgeräten;

* Testen Sie die Mikroröhrendichte des Wafers mit einem Polarisationsmikroskop.

Wir werden die Wafer nach dem Testen in einer sauberen Umgebung der Klasse 100 reinigen und verpacken. Entspricht die Qualität der Wafer nicht der Kundenspezifikation, nehmen wir sie nach der Prüfung wieder ab.

Die Halbwertsbreite (FWHM) ist die Spektralkurvenbreite, die zwischen diesen Punkten auf der Y-Achse gemessen wird. Das folgende Diagramm zeigt die XRD-Rocking-Kurven des getesteten GaN-Materials:

XRD Rocking Curves of GaN Material

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Hoffe auf ihr Verständnis!

    wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt:
    Kasse