GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
I tidligere undersøgelser for GaN på safirsubstrat blev der fundet tegn på mikrorevnedannelse i safirsubstratet under GaN-vækst. Men dannelsen af makrorevner, der strækker sig til GaN-overfladen, mentes kun at stamme fra termisk uoverensstemmelse. Senere, da GaN-lagene på safir voksede ud over 100 mm, blev det konstateret, at der var en effektiv afslapningsproces for GaN-skabelonen på safir. Væksten af revnefri GaN-på-safirskabelon, der nærmer sig 2 tommer i diameter, er blevet påvist. Det har vist sig, at der sædvanligvis allerede dannes revner under vækst af GaN/safirskabelon på grund af trækspænding dannet under tidlig kernedannelse. Denne tidlige revnedannelse på GaN på safirskabelon kan have negative virkninger; mikrorevner i safirsubstratet kan fungere som efterfølgende indledende brudpunkter for at lindre den øgede belastning på grund af de forskellige termiske udvidelseskoefficienter af lagene og substratet under afkøling. Selvom der kan findes vækstbetingelser, der fører til revneheling under vækst, så holder det. Diffusiviteten af de dyrkede GaN-film på safiroverfladen betragtes som en vigtig parameter for helingen af sådanne revner.
