FZ-Siliziumwafer
Die Größe der zum Verkauf stehenden Float-Zone (FZ)-Silizium (Si)-Wafer beträgt hauptsächlich 8 Zoll und 6 Zoll. Im Vergleich zu Siliziumwafern, die nach dem Czochralski-Verfahren (CZ) hergestellt wurden, besteht das größte Merkmal von Float-Zone-Wafern darin, dass der spezifische Widerstand relativ hoch ist, die Reinheit höher ist und Hochspannungen standhalten können. Es ist jedoch schwierig, großformatige FZ-Siliziumwafer herzustellen, und die mechanischen Eigenschaften sind schlecht. Daher werden in integrierten Schaltungen nur wenige in Schwebezonen gewachsene Siliziumwafer verwendet. Der FZ-Wafer wird durch ein Float-Zone-Verfahren hergestellt. Da während des Siliziumkristallwachstums in der Schwebezone kein Tiegel vorhanden ist, wird die Verschmutzung durch den Tiegel vermieden, und das Schmelzen in der Suspensionszone kann für mehrere Reinigungen verwendet werden, sodass die Reinheit des FZ-Siliziumblocks hoch und die Leitfähigkeit des FZ-Siliziumsubstrats hoch ist 1000 Ω-cm oder mehr erreichen.
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
FZ-Si-Wafer, die von FZ-Waferlieferanten hergestellt werden, werden zur Herstellung von Leistungselektronikgeräten, Fotodioden, Strahlendetektoren, Infrarotdetektoren usw. verwendet. Der Sauerstoffgehalt von FZ-Siliziumwafern ist 2 bis 3 Größenordnungen niedriger als der von CZ-Silizium. Da durch Sauerstoff keine Abscheidung gebildet wird, ist die mechanische Festigkeit des Siliziumwafers in der Schwebezone nicht so gut wie bei einem CZ-gewachsenen Siliziumwafer. Außerdem können während des Herstellungsprozesses leicht Verwerfungen und Defekte erzeugt werden. Das Hinzufügen von Stickstoff ist eine Lösung, um die Waferfestigkeit während des Siliziumkristallwachstums in der Schwebezone zu verbessern. Weitere Spezifikationen für monokristallines FZ-Silizium lauten wie folgt:
1. 8-Zoll-Float-Zone-Siliziumwafer mit hohem Widerstand und SSP oder DSP
| 8-Zoll-FZ-Siliziumwafer mit SSP oder DSP und hohem Widerstand | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | FZ | ||
| Durchmesser | 8 "(200,0 ± 0,2 mm) | ||
| Leitfähigkeitstyp | N-Typ | N-Typ | P-Typ |
| Dotierstoff | Phosphor | Phosphor | Bor |
| Orientierung | [100]±0,5° | ||
| Dicke | 625 +/- 5 µm | 725 ± 25 μm | 725 ± 25 μm |
| Der spezifische Widerstand | >8.000–14.000 Ωcm | >10.000 Ωcm | 5.000–10.000 Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| SEMI-STD-Kerbe | SEMI-STD-Kerbe | ||
| Oberflächenfinish | 1SP, SSP Einseitig Epi-Fertig-Poliert Rückseite geätzt |
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| Rand abgerundet | Gemäß SEMI-Standard Metrologie-Randausschluss (lpds, mechanische Parameter) 3 mm |
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| Partikel | LPDs >= 0,30 µm (einschließlich COPs) <=25 LPDs >= 0,20 µm (einschließlich COPs) <=30 LPDs >= 0,16 µm (einschließlich COPs) <=60 |
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| Rauheit | <0,5nm | ||
| TTV | <1,5 um | <10um | <6um |
| Bow / Warp | <35um | Bogen<40µm, Warp<60µm | <40 um |
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | 11-15 PPMA | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Ebenheit der Website | SFQD 20 x 20 mm: 0,40 um | ||
| MCC-Lebensdauer | >1.000 μs | >1.000 μs | >1.000 μs |
| Oberflächenmetallkontamination (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) |
≤5E10 Atome/cm2 (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) Max. 5E10/cm2 | ||
| Versetzungsdichte | SEMI STD | SEMI STD | 500 max/cm2 |
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Alle keine | ||
| Laser-Markierung | SEMI STD | Option Laser serialisiert: Flacher Laser |
Entlang der Wohnung Auf der Vorderseite |
2. 6-Zoll-FZ-Siliziumwafer
| 6-Zoll-FZ-Siliziumwafer | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | FZ | ||
| Durchmesser | 6″ (150 ± 0,5 mm) | ||
| Leitfähigkeitstyp | Intrinsisch | N-Typ | P-Typ |
| Dotierstoff | niedrig dotiert | Phosphor | Bor |
| Orientierung | <100> ±0,5° | [100]±0,5° | (111) ±0,5° |
| Dicke | 625 ± 15 μm | 675 ± 10 μm 1.000 ± 25 µm |
875 ± 25 μm 1.000 ± 25 µm |
| Der spezifische Widerstand | >20.000 Ωcm | 6,000-10,000 | 5.000–10.000 Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| Primäre Wohnung | Eine halbflache (57,5 mm) | SEMI STD | SEMI Kerbe @ 110 ± 1° |
| sekundäre Wohnung | N / A | SEMI STD | N / A |
| Oberflächenfinish | Vorderseite Finish Hochglanzpoliert Rückseitenfinish Hochglanzpoliert |
Vorderseite Finish Hochglanzpoliert Rückseitenfinish Hochglanzpoliert |
Eine Seite poliert Rückseite säuregeätzt |
| Rand abgerundet | Gemäß SEMI-Standard | ||
| Partikel | <20 Zählungen bei 0,3 μm | ||
| Rauheit | <0,5nm | ||
| TTV | <10um | <10um | <12um |
| Bow / Warp | <30 um | <40 um | <60 um |
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| RÜHREN (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| MCC-Lebensdauer | >1.000 μs | ||
| Oberflächenmetallkontamination Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn |
≤5E10 Atome/cm2 | ||
| Versetzungsdichte | 500 max/cm2 | ||
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Anlaufen, Orangenhaut, Verunreinigung, Dunst, Mikrokratzer, Absplitterungen, Kantenabsplitterungen, Risse, Krähenfüße, Nadellöcher, Grübchen, Dellen, Welligkeit, Flecken und Narben auf der Rückseite: alles keine | ||
| Laser-Markierung | Entlang der Wohnung Auf der Vorderseite Option Laser serialisiert: Flacher Laser |
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3. 6-Zoll-FZ+NTD-Siliziumwafer mit Minority Carrier Lifetime 300μs
| 6 Zoll FZ+NTD Siliziumwafer mit Minority Carrier Lifetime 300μs | |
| Beschreibung | Bedarf |
| Allgemeine Charakteristiken | |
| Anbaumethode | Grown by irradiating low doped Float Zone silicon with neutrons FZ+NTD |
| Orientierung | <111> +/- 1 Grad |
| Art der Leitfähigkeit | N. |
| Verunreinigungssubstanz | P. |
| Bereich der Steuerung | 3 mm vom Rand der Waffel werden nicht überwacht |
| Die elektrischen Eigenschaften | |
| Widerstandskonstante | 100 Ohm.cm ±8% |
| Radiale Streuung von Widerstand konstant |
Nicht mehr als 4 % |
| Minderheitsträger Lebensdauer min |
300 Mcs |
| Die chemischen Eigenschaften | |
| Gehalt an Sauerstoff | 0,2 ppma |
| Gehalt an Kohlenstoff | 0,2 ppma |
| Perfektion der Struktur | |
| Dislokationsinhalt | kostenlos |
| Defektdichte der Verpackung | Nicht mehr als 1*102 1/cm2 |
| Mikrodefektdichte | Nicht mehr als 1*104 1/cm2 |
| Wirbel | kostenlos |
| Charakteristisch für die Zubereitung von Waffeln | |
| Rückseite | Geläppt und geätzt |
| Geometrie | |
| Durchmesser | 152,4+1 mm |
| Dehnung des Primärschnitts | 30-35mm |
| Facettenbreite | 0,1-0,25 mm Produktion auf einem «Former» |
| Dicke | 625 um |
| Polydicke (TTV) | nicht mehr als 5 um |
| Verzug | Nicht mehr als 35 um |
| Variation in der Ebene | Nicht mehr als 5 um |
| Oberfläche des Arbeitszustandes | Poliert |
| Kratzer | Mangel |
| Mikrokratzer (Risiko) | Gesamtlänge nicht mehr als 0,5 Durchmesser einer Waffel |
| Kontamination | Mangel |
| Abstumpfung | HAZE≤5 ppm |
| Schorf | Mangel |
| Orangenschale | Mangel |
| Sägeblatt defekt | Mangel |
| Oberfläche in nicht funktionsfähigem Zustand | Boden, geätzt |
| Schorfrand | Mangel |
| Solche „Krähenkralle“ knacken | Mangel |
| Kontamination | Mangel |
| Sägeblatt defekt | Mangel |
| Kratzer | Gesamtlänge nicht mehr als 0,5 Durchmesser einer Waffel |
| Fleck von ungleichmäßiger Ätzung | Mangel |
4. 6-Zoll-FZ+NTD-Siliziumwafer mit Ausrichtung (111) und Dicke 625 μm
| 6-Zoll-FZ+NTD-Siliziumwafer mit Ausrichtung (111) und Dicke 625 μm | |||
| Beschreibung | Einheit | Wert | Standard der Kontrollmethode |
| Verfahren | FZ+NTD | ||
| Typ | N. | ||
| Dotierstoff | P (Phosphor) | ||
| Orientierung | - - | <111> +/- 1 Grad | ASTM F26 |
| Durchmesser | Millimeter | 152,4±1 | Kaliber |
| Dicke, mind | Äh | 625 | - - |
| Der spezifische Widerstand | Ohm*cm | 100 | 4-Punkt-Sonde ASTM F 84 |
| Radiale Widerstandsänderung, max | %. | 8 | ASTM F 81 Plan C |
| Minority Carrier Lifetime, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
| Kohlenstoffgehalt, max | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| Sauerstoffgehalt/ | ppma | 0.2 | ASTM F 1188-93a |
| Vorderseite | Poliert | ||
| Rückseite | Boden, geätzt | ||
| Wirbel | - - | keiner | F47 |
| Versetzungen | - - | keiner | F47 |
5. 6-Zoll-FZ + NTD-Siliziumwafer mit einer Dicke von 300 μm
| 6-Zoll-FZ+NTD-Siliziumwafer mit einer Dicke von 300 μm | |
| Beschreibung | Bedarf |
| Durchmesser | 150 mm ± 0,5 mm |
| Dicke | 300um |
| Wachstumsverfahren | FZ+NTD |
| Orientierung | (100) |
| Typ: N | N. |
| Dotierstoff | P. |
| Der spezifische Widerstand | 85 Ohm*cm ±4% |
| Oberflächenfinish | Einseitiger poliert |
| Wohnungen | 1, SEMI-Std, Länge 30-35 mm |
| TTV | ≤5um |
| Kette | ≤35um |
| Bogen | ≤5um |
| Sauerstoffgehalt | ≤1,0*10^18cm-3 |
| Kohlenstoffgehalt | ≤5,0*10^16cm-3 |
| Versetzungen | Keiner |
| Unterhose | Keiner |
| Dunst | Keiner |
| Scratches | Keiner |
| Kantenchips | Keiner |
| Grübchen | Keiner |
| Orangenschale | Keiner |
| Risse/Brüche | Keiner |
6. 6-Zoll-FZ+NTD-Silizium-Bodenbarren
| 6-Zoll-FZ+NTD-Silizium-Bodenbarren | |||
| Parameter | Einheit | Wert | Standard der Kontrollmethode |
| Verfahren | FZ+NTD | ||
| Typ | N. | ||
| Dotierstoff | P (Phosphor) | ||
| Orientierung | - - | <111> +/- 1 Grad | ASTM F26 |
| Durchmesser | Millimeter | 150.0+0.5 | Kaliber |
| Der spezifische Widerstand | Ohm*cm | 170 | 4-Punkt-Sonde ASTM F 84 |
| Radiale Widerstandsänderung, max | %. | 8 | ASTM F 81 Plan C |
| Minority Carrier Lifetime, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
| Kohlenstoffgehalt, max | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
| Sauerstoffgehalt | ppma | 22 | ASTM F 1188-93a |
| Wirbel | - - | keiner | F47 |
| Versetzungen | - - | keiner | F47 |
7. 4-Zoll-FZ-Siliziumwafer
| 4-Zoll-FZ-Siliziumwafer | |||
| Artikel | Parameter | ||
| Material | Monokristallines Silizium | ||
| Klasse | Prime-Klasse | ||
| Growth-Methode | FZ | ||
| Durchmesser | 4 "(100 ± 0,4 mm) | ||
| Leitfähigkeitstyp | Intrinsisch | N-Typ | P-Typ |
| Dotierstoff | niedrig dotiert | Phosphor | Bor |
| Orientierung | <111>±0,5° | [110]±0,5° | (100)±1° |
| Dicke | 500 ± 25 μm | ||
| Der spezifische Widerstand | >10.000 Ωcm | >5.000Ωcm | 5.000–10.000 Ωcm |
| RRV | <40 % (ASTM F81 Plan C) | ||
| Primäre Wohnung | SEMI STD Wohnungen | ||
| sekundäre Wohnung | SEMI STD Wohnungen | ||
| Oberflächenfinish | Einseitig-Epi-fertig-poliert, Rückseite geätzt |
||
| Rand abgerundet | Gemäß SEMI-Standard | ||
| Partikel | <20 Zählungen bei 0,3 μm | ||
| Rauheit | <0,5nm | ||
| TTV | <10um | ||
| Bow / Warp | <40 um | ||
| TIR | <5µm | ||
| Sauerstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | <2E16/cm3 | ||
| OISF | <50/cm² | ||
| RÜHREN (15x15mm) | <1,5 µm | ||
| MCC-Lebensdauer | >1.000 μs | ||
| Oberflächenmetallkontamination Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr | ≤5E10 Atome/cm2 | ||
| Versetzungsdichte | 500 max/cm2 | ||
| Chips, Kratzer, Beulen, Dunst, Berührungsspuren, Orangenhaut, Löcher, Risse, Schmutz, Verunreinigungen | Alle keine | ||
| Laser-Markierung | Along The Flat
Auf der Vorderseite, Option Laser serialisiert: Flacher Laser |
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