AlN auf Saphir/Silizium
High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
1. Waferliste für AlN-Vorlagen
Undotierte AlN-Schablone auf Saphir, 2″, AlN-Schicht 2um oder 4um – einseitig poliert oder doppelseitig poliert
Undotiertes AlN-Template auf Silizium, 2″, AlN-Schicht 1um – einseitig poliert
Undotierte AlN-Schablone auf Saphir, 4″, AlN-Schicht 1um – einseitig poliert oder doppelseitig poliert
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)
2″ 25 nm AlN auf (111) Si
6″ 25 nm AlN auf (111) Si
Undotiertes AlN-Template auf 4″ Silizium ( Si <111>, P-Typ, B-dotiert ) 4″x 500 nm
2. Spezifikationen von AlN auf Saphirsubstrat
2.1 AlN-beschichtetes Saphirsubstrat der Größe 2″
| Artikel | GANW-AlNT-SI |
| Durchmesser | 50,8 mm ± 1 mm |
| AlN-Dicke: | 2um oder 4um |
| Conduction Typ | Halbisolierend |
| Orientierung | C-Achse (0001) +/- 1 ° |
| Orientierung Wohnung | Ein Flugzeug |
| XRD FWHM (0002) | <150 Bogensekunden. |
| XRD FWHM von (10-12) | <450 Bogensekunden. |
| Struktur | 1-5um AlN/AlN-Puffer/Saphir |
| Substrat: | Saphir,430+/-25um |
| Kantenausschluss | ≤2,5 mm |
| Durch Crack | Keiner |
| Nutzbare Fläche | ≥90% |
| Oberfläche | Einseitig poliert, Epi-ready |
| Verpackung: unter Stickstoffatmosphäre, in einer Umgebung mit 100 Reinräumen. | |
2.2 AlN der Größe 4″ auf Saphirwafersubstrat
| Artikel | GANW-AlNT-S 190822 |
| Durchmesser | Durchmesser 100 mm ± 1 mm |
| Conduction Typ | Halbisolierendem |
| Dicke: | 1 um |
| Substrat: | Saphir |
| Orientierung : | C-Achse (0001) +/- 1 ° |
| Orientierung Wohnung | Ein Flugzeug |
| XRD FWHM (0002) | <1000 Bogensekunden. |
| Oberflächenrauheit | <2nm |
| Nutzbare Fläche | ≥90% |
| Polnischer Zustand | Einseitig poliert oder beidseitig poliert. |
| Paket | Einzelwaferbehälter unter Stickstoffatmosphäre in einer Reinraumumgebung der Klasse 100. |
3. Epitaktisches Wachstum von AlN auf Saphir
Bislang ist Saphir-Substrat aufgrund seiner hohen Transparenz und Wirtschaftlichkeit im UV-Bereich noch immer die erste Wahl für AlN-Heteroepitaxie. Die AlN/Saphir-Gitterfehlanpassung und die Fehlanpassung des Wärmeausdehnungskoeffizienten sind jedoch schwerwiegend, sodass die AlN-auf-Saphir-Versetzungsdichte, insbesondere die Gewindeversetzungsdichte (TDD), für uns eine große Herausforderung darstellt.
Viele Technologien wurden vorgeschlagen, und es wurden große Fortschritte bei der Reduzierung der TDD von AlN auf Saphirwachstum erzielt, wie z. B. (MOCVD) und migrationsverstärkte MOCVD (MEMOCVD). Darüber hinaus hat die Epitaxie-Lateral-Overgrowth-Technologie (ELO) auf Saphir- oder AlN/Saphir-Templates mit Mikrostreifenmuster ebenfalls große Aufmerksamkeit erregt, wodurch TDD erheblich reduziert wurde.
4. Templat von AlN auf Silizium durch Beschichtung
4-1 2″ 25 nm AlN auf (111) Si
4-2 6 Zoll 25 nm AlN auf (111) Si
4-3 Undotiertes AlN-Template auf 2″ Silizium (Si<111>N-Typ) 2″x 500 nm
4-4 Detailspezifikation des AlN-Templates auf Silizium
Nominale AlN-Dicke: 500 nm ±10 %, einseitig beschichteter, undotierter AlN-Film
Rückseite: Silizium N-Typ
AlN-Orientierung: C-Ebene (0001)
Waferbasis: Silizium [111] N-Typ, 2 Zoll Durchmesser x 0,5 mm, eine Seite poliert
Undotiertes AlN-Template auf 4″ Silizium ( Si <111>, P-Typ, B-dotiert ) 4″x 500 nm
Bitte beachten Sie:
For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.
