Fotomaske
Die Halbleiterfotomaske ist ein Film, der auf einem fotolithografischen Prozess basiert. Die Fotomaske in Halbleitern ist ein grafisches Übertragungswerkzeug oder Master im Herstellungsprozess der Mikroelektronik und ein Träger von Informationen zum geistigen Eigentum wie Grafikdesign und Prozesstechnologie. Halbleiterfotomasken können entsprechend ihrer Verwendung in Chromplatten, Trockenplatten, Flüssigkeitsreliefplatten und Filme eingeteilt werden.
Der Fotomaskenherstellungsprozess ist wie folgt: Gemäß dem vom Kunden gewünschten Muster verwenden wir, einer der führenden Hersteller von Halbleiterfotomasken, den Fotolithografieprozess, um feine Muster im Mikro- und Nanobereich auf die Maske zu gravieren. Das Rohmaterial der Maske ist ein lichtempfindlicher Fotomaskenrohling zum Herstellen feiner Fotomaskenmuster, und dann werden die unnötige Metallschicht und die Klebeschicht weggewaschen, um die Halbleitermaskierungsplatte zu erhalten.
- Beschreibung
- Anfrage
Beschreibung
Fotomasken können nach unterschiedlichen Substratmaterialien in Quarzmasken, Sodamasken und andere (einschließlich Reliefplatten und -folien) unterteilt werden. Konkret wie folgt:
Quarz-Fotomaskenhalbleiter verwenden Quarzglas als Substratmaterial, das eine hohe optische Durchlässigkeit und eine niedrige Wärmeausdehnungsrate aufweist. Im Vergleich zu Natronglas ist es flacher und verschleißfester und hat eine lange Lebensdauer. Quarzfotomasken werden hauptsächlich für hochpräzise Masken verwendet;
Die Natronmaske verwendet Natronglas als Substratmaterial, das eine höhere optische Durchlässigkeit, eine relativ höhere Wärmeausdehnungsrate als Quarzglas und eine relativ schwächere Ebenheit und Verschleißfestigkeit als Quarzglas aufweist. Es wird hauptsächlich für Masken mit mittlerer und niedriger Präzision verwendet;
Das Relieffotomaskendesign verwendet ungesättigtes Polybutadienharz als Substratmaterial, das hauptsächlich für den Tampondruck mit orientiertem Material im Herstellungsprozess von Flüssigkristallanzeigen (LCD) verwendet wird;
Das Halbleitermaskendesign verwendet PET als Substratmaterial, das hauptsächlich für Leiterplattenmasken verwendet wird.
1. Halbleiter-Fotomaskenlösungen
1.1 Fotomaske auf Quarzsubstrat
| Bestätigungsformular für Kundeninformationen | ||
| 1 | Kundenname | - - |
| 2 | Maskengröße | 5009 |
| 3 | CD SPEC (auf Maske) | - - |
| 4 | Maskenskala | 5:01 |
| 5 | Maskengrad | S. |
| 6 | Maskenmaterial | Quarz |
| 7 | Pellicle | Keiner |
| 8 | Pellikel-Typ | I-Linie |
| 9 | Daten senden | FTP |
| 10 | JDV (Jobview-Check) | JA |
| 11 | Lithografiemaschinentyp | - - |
| 12 | CD (CD-Match) | JA |
| 13 | Registrierungsmatch | JA |
| 14 | Mängelinspektion | Sterben um Sterben/Sterben um Datenbank |
| 15 | Lassen Sie Kratzer innerhalb von 5 mm am Rand zu | JA |
| die Maske, aber aus den Daten | ||
| 16 | Besondere Bitte | - - |
Qualitäten für Fotomasken auf Quarz
| Klasse | D. | C. | B. | EIN | S. |
| Toleranz | ±0,3 | ±0,3 | ±0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Zielstrebig | ±0,3 | ±0,3 | ±0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Gleichmäßigkeit | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.15 | 0.1 |
| Anmeldung | ±0,4 | ±0,3 | ±0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Fehlergröße | 1.5 | 1.5 | 1 | 0.8 | 0.6 |
| Defektdichte | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
1.2 1X Master Semiconductor Fotomaske auf Quarz oder Natronkalk
| Produkt | Größe | Substratmaterialien |
| 1X Meister | 4” x4” X0.060” oder 0.090” | Quarz und Soda Lime |
| 5” X5” X0.090” | Quarz und Soda Lime | |
| 6” x6” X0.120” oder 0,250” | Quarz und Soda Lime | |
| 7” x7” X0.120” oder 0,150” | Quarz und Soda Lime | |
| 7.25” Round X 0,150” | Quarz | |
| 9” X9” X0.120” oder 0.190” | Quarz und Soda Lime |
1.2.1 Gemeinsame Spezifikationen für 1X-Master-Masken (Quarzmaterial)
| CD-Größe | CD Mittlere-to-Nenn | CD Uniformity | Anmeldung | Defektgröße |
| 2,0 & mgr; m | ≤0.25 um | ≤0.25 um | ≤0.25 um | ≥2.0 um |
| 4.0 um | ≤0.30 um | ≤0.30 um | ≤0.30 um | ≥3.5 um |
1.2.2 Gemeinsame Spezifikation für 1X-Master-Masken (Natronkalk-Material)
| CD-Größe | CD Mittlere-to-Nenn | CD Uniformity | Anmeldung | Defektgröße |
| ≤4 um | ≤0.25 um | ---- | ≤0.25 um | ≥3.0 um |
| ≤4 um | ≤0.30 um | ---- | ≤0.45 um | ≥5.0 um |
1.3 UT1X-Maskenabmessungen und Substratmaterialien
| Produkt | Größe | Substratmaterial |
| UT1X | 3 "x5" X0.090 " | Quarz |
| 5 "X5" X0.090 " | Quarz | |
| 6 "x6" X0.120 "oder 0,250" | Quarz |
Gemeinsame Spezifikationen für UT1X-Masken
| CD-Größe | CD Mittlere-to-Nenn | CD Uniformity | Anmeldung | Defektgröße |
| 1,5 & mgr; m | ≤0.15 um | ≤0.15 um | ≤0.15 um | ≥0.50 um |
| 3,0 & mgr; m | ≤0.20 um | ≤0.20 um | ≤0.20 um | ≥0.60 um |
| 4.0 um | ≤0.25 um | ≤0.25 um | ≤0.20 um | ≥0.75 um |
1.4 Standard-Binärmaske
| Produkt | Größe | Substratmaterialien |
| 2X | 6 "x 6" X0.250 " | Quarz |
| 2.5X | ||
| 4X | ||
| 5X | 5 "X5" X0.090 " | Quarz |
| 6 "x6" X0.250 " | Quarz |
Gemeinsame Spezifikationen für binäre Standardmasken
| CD-Größe | CD Mittlere-to-Nenn | CD Uniformity | Anmeldung | Defektgröße |
| 2,0 & mgr; m | ≤0.10 um | ≤0.15 um | ≤0.10 um | ≥0.50 um |
| 3,0 & mgr; m | ≤0.15 um | ≤0.15 um | ≤0.15 um | ≥0.75 um |
| 4.0 um | ≤0.20 um | ≤0.20 um | ≤0.20 um | ≥1.00 um |
1.5 Mittelbereichsmasken
| Produkt | Größe | Substratmaterialien |
| 1X | 9 "X9" 0,120 " | Quarznatronkalk (sowohl Chrom- als auch Eisenoxid-Absorber erhältlich) |
| 9 "X9" 0,190 " | Quarz |
1.5.1 Gemeinsame Spezifikationen für mittelgroße Masken (Quarzmaterial)
| CD-Größe | CD Mittlere-to-Nenn | CD Uniformity | Anmeldung | Defektgröße |
| 0,50 & mgr; m | ≤0.20 um | ---- | ≤0.15 um | ≥1.50 um |
1.5.2 Gemeinsame Spezifikationen für mittelgroße Masken (Natronkalkmaterial)
| CD-Größe | CD Mittlere-to-Nenn | CD Uniformity | Anmeldung | Defektgröße |
| 10 & mgr; m | ≤4.0 um | ---- | ≤4.0 um | ≥10 um |
| 4 um | ≤2.0 um | ---- | ≤1.0 um | ≥5 um |
| 2,5 & mgr; m | ≤0.5 um | ---- | ≤0.75 um | ≥3 um |
