Maschera fotografica
La fotomaschera a semiconduttore è una pellicola basata sul processo di fotolitografia. La fotomaschera nei semiconduttori è uno strumento di trasferimento grafico o un master nel processo di produzione della microelettronica ed è un vettore di informazioni sulla proprietà intellettuale come la progettazione grafica e la tecnologia di processo. La fotomaschera a semiconduttore può essere classificata in lastre di cromo, lastre asciutte, lastre a rilievo liquido e film in base ai loro usi.
Il processo di produzione delle fotomaschere è il seguente: in base al modello richiesto dal cliente, uno dei principali produttori di fotomaschere per semiconduttori utilizza il processo di fotolitografia per incidere motivi fini a livello di micron e nanometri sulla maschera. La materia prima della maschera è una fotomaschera fotosensibile per creare modelli di fotomaschera fini, quindi lo strato di metallo e lo strato di colla non necessari vengono lavati via per ottenere la piastra di mascheratura a semiconduttore.
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
Le fotomaschere possono essere suddivise in maschere di quarzo, maschere di soda e altre (comprese lastre in rilievo e film) in base ai diversi materiali del substrato. Nello specifico come segue:
Il semiconduttore con fotomaschera al quarzo utilizza il vetro al quarzo come materiale di substrato, che ha un'elevata trasmittanza ottica e un basso tasso di espansione termica. Rispetto al vetro soda, è più piatto e resistente all'usura e ha una lunga durata. La fotomaschera al quarzo viene utilizzata principalmente per maschere di alta precisione;
La maschera di soda utilizza il vetro di soda come materiale di substrato, che ha una trasmittanza ottica più elevata, un tasso di espansione termica relativamente più elevato rispetto al vetro al quarzo e una planarità e una resistenza all'usura relativamente più deboli rispetto al vetro al quarzo. Viene utilizzato principalmente per maschere di media e bassa precisione;
Il design della fotomaschera in rilievo utilizza la resina di polibutadiene insatura come materiale di substrato, che viene utilizzato principalmente per la stampa a tampone di materiale orientato nel processo di produzione di display a cristalli liquidi (LCD);
Il design della maschera a semiconduttore utilizza il PET come materiale di substrato, che viene applicato principalmente per le maschere dei circuiti stampati.
1. Soluzioni di fotomaschera a semiconduttore
1.1 Fotomaschera su substrato di quarzo
| Modulo di conferma delle informazioni sul cliente | ||
| 1 | Nome del cliente | — |
| 2 | Dimensione della maschera | 5009 |
| 3 | CD SPEC (sulla maschera) | — |
| 4 | Scala della maschera | 5:01 |
| 5 | Grado di maschera | S |
| 6 | Materiale della maschera | Quarzo |
| 7 | Pellicola | Nessuno |
| 8 | Tipo di pelle | I-Linea |
| 9 | Invio dati | FTP |
| 10 | JDV (controllo vista lavoro) | SI |
| 11 | Tipo di macchina per litografia | — |
| 12 | CD (partita CD) | SI |
| 13 | Partita di registrazione | SI |
| 14 | Ispezione dei difetti | Muori per morire/Muori per il database |
| 15 | Consenti graffi entro 5 mm sul bordo di | SI |
| la maschera ma fuori dai dati | ||
| 16 | Richiesta speciale | — |
Gradi per Photomask su Quartz
| Grado | D | C | B | UN | S |
| Tolleranza | ±0,3 | ±0,3 | ±0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Significa mirare | ±0,3 | ±0,3 | ±0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Uniformità | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.15 | 0.1 |
| Registrazione | ±0,4 | ±0,3 | ±0,2 | ±0,15 | ±0,1 |
| Dimensione difettosa | 1.5 | 1.5 | 1 | 0.8 | 0.6 |
| Densità del difetto | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
1.2 Fotomaschera 1X Master Semiconductor su quarzo o calce sodata
| Prodotto | Dimensioni | Materiali del substrato |
| 1X Maestro | 4” X4” X0,060” o 0,090” | Quarzo e soda lime Li |
| 5” X5” X0.090” | Quarzo e soda lime Li | |
| 6” X6” X0.120” o 0.250” | Quarzo e soda lime Li | |
| 7” X7” X0.120” o 0.150” | Quarzo e soda lime Li | |
| 7,25 "tondo X 0,150" | Quarzo | |
| 9”X9”X0.120” o 0.190” | Quarzo e soda lime Li |
1.2.1 Specifiche comuni per le maschere master 1X (materiale al quarzo)
| Dimensioni CD CD | CD da media a nominale | Uniformità del CD | Registrazione | dimensione del difetto |
| 2.0 ehm | 0,25 mm | 0,25 mm | 0,25 mm | ≥2.0 um |
| 4.0 ehm | 0.30 ehm | 0.30 ehm | 0.30 ehm | ≥3,5 um |
1.2.2 Specifiche comuni per le maschere master 1X (materiale a base di calce sodata)
| Dimensioni CD CD | CD da media a nominale | Uniformità del CD | Registrazione | dimensione del difetto |
| 4 ehm | 0,25 mm | ———— | 0,25 mm | ≥3,0 mm |
| 4 ehm | 0.30 ehm | ———— | 0.45 ehm | ≥5.0 mm |
1.3 Dimensioni della maschera UT1X e materiali del substrato
| Prodotto | Dimensioni | substrato di materiale |
| UT1X | 3″ X5″ X0.090″ | Quarzo |
| 5″ X5″ X0.090″ | Quarzo | |
| 6″ X6″X0.120″ o 0.250″ | Quarzo |
Specifiche comuni per le maschere UT1X
| Dimensioni CD CD | CD da media a nominale | Uniformità del CD | Registrazione | dimensione del difetto |
| 1,5 mm | 0.15 ehm | 0.15 ehm | 0.15 ehm | ≥0.50 um |
| 3.0 ehm | 0.20 ehm | 0.20 ehm | 0.20 ehm | ≥0,60 um |
| 4.0 ehm | 0,25 mm | 0,25 mm | 0.20 ehm | ≥0,75 um |
1.4 Maschera binaria standard
| Prodotto | Dimensioni | Materiali del substrato |
| 2X | 6 "X 6" X0.250 " | Quarzo |
| 2,5X | ||
| 4X | ||
| 5X | 5″ X5″ X0.090″ | Quarzo |
| 6″ X6″ X0.250″ | Quarzo |
Specifiche comuni per maschere binarie standard
| Dimensioni CD CD | CD da media a nominale | Uniformità del CD | Registrazione | dimensione del difetto |
| 2.0 ehm | 0.10 ehm | 0.15 ehm | 0.10 ehm | ≥0.50 um |
| 3.0 ehm | 0.15 ehm | 0.15 ehm | 0.15 ehm | ≥0,75 um |
| 4.0 ehm | 0.20 ehm | 0.20 ehm | 0.20 ehm | ≥1.00 um |
1.5 Maschere di area media
| Prodotto | Dimensioni | Materiali del substrato |
| 1X | 9″ X9″ 0,120″ | Calce sodata al quarzo (disponibili sia assorbitori di cromo che di ossido di ferro) |
| 9″ X9″ 0,190″ | Quarzo |
1.5.1 Specifiche comuni per maschere di area media (materiale al quarzo)
| Dimensioni CD CD | CD da media a nominale | Uniformità del CD | Registrazione | dimensione del difetto |
| 0,50 mm | 0.20 ehm | ———— | 0.15 ehm | ≥1.50 um |
1.5.2 Specifiche comuni per maschere di area media (materiale a base di calce sodata)
| Dimensioni CD CD | CD da media a nominale | Uniformità del CD | Registrazione | dimensione del difetto |
| 10 ehm | 4.0 ehm | ———— | 4.0 ehm | ≥10 mm |
| 4 um | 2.0 ehm | ———— | 1.0 ehm | ≥5 mm |
| 2,5 mm | 0,5 um | ———— | 0.75 ehm | ≥3 mm |
